[发明专利]多应力强化试验剖面编制方法、装置及计算机存储介质在审
| 申请号: | 201911263808.8 | 申请日: | 2020-03-06 |
| 公开(公告)号: | CN111062183A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
| 发明(设计)人: | 吴建国;于荣刚;李志强;李尧;冯国林;朱仪凡;贾洲侠;刘宝瑞;李艳芬;程昊;陈志军 | 申请(专利权)人: | 北京强度环境研究所;中国运载火箭技术研究院 |
| 主分类号: | G06F30/398 | 分类号: | G06F30/398;G06F119/14 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 100076 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 应力 强化 试验 剖面 编制 方法 装置 计算机 存储 介质 | ||
1.一种多应力强化试验剖面编制方法,其特征在于,包括:
确定SiP器件的敏感应力类型;
确定所述敏感应力类型对应的强化试验应力极限值;
根据所述强化试验应力极限值确定强化试验的应力量级;所述应力量级为小于所述应力极限值的应力值;
根据所述应力量级、预先确定的应力组合以及应力作用时序,编制多应力强化试验剖面。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述确定SiP器件的敏感应力类型,包括:
根据SiP器件的封装工艺类型、结构特点以及使用环境状况,选择容易激发产品故障的环境因素作为强化试验的敏感应力类型。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述敏感应力类型,包括以下一种或多种的组合:
高温、温变、振动、冲击。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述确定所述敏感应力类型对应的强化试验应力极限值,包括:
根据SiP器件的构成材料的破坏强度和最大许可环境应力,确定所述敏感应力类型对应的强化试验应力极限值;或者,
通过对SiP器件进行摸底试验,确定所述敏感应力类型对应的强化试验应力极限值。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述应力组合,包括以下一种或多种:
高温振动、温变振动、温变+高温振动、高温振动+温变、高温+温变振动、温变振动+高温。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述应力组合的确定过程包括:利用仿真分析法确定各个组合的效率高低,通过试验对比法验证仿真分析的精度。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述应力作用时序的确定过程,包括:通过数值仿真计算不同时序的施加方式对SiP器件造成的损伤类型以及损伤程度;确定激发故障类型最多且速度最快的应力施加方式;根据所述激发故障类型最多且速度最快的应力施加方式确定应力作用时序。
8.一种多应力强化试验剖面编制装置,其特征在于,包括:
类型确定模块,用于确定SiP器件的敏感应力类型;
极限确定模块,用于确定所述敏感应力类型对应的强化试验应力极限值;
量级确定模块,用于根据所述强化试验应力极限值确定强化试验的应力量级;所述应力量级为小于所述应力极限值的应力值;
剖面编制模块,用于根据所述应力量级、预先确定的应力组合以及应力作用时序,编制多应力强化试验剖面。
9.一种计算机存储介质,其特征在于,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一所述方法的步骤。
10.一种电子设备,其特征在于,包括存储器、以及一个或多个处理器,所述存储器用于存储一个或多个程序;所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时,实现如权利要求1至7任一所述的方法。
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