[发明专利]用于半导体制造的喷头在审
申请号: | 201911257475.8 | 申请日: | 2019-12-10 |
公开(公告)号: | CN111321391A | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 朱灿述;金志勋 | 申请(专利权)人: | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 彭辉剑;龚慧惠 |
地址: | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种用于处理基板的设备,所述设备包括处理室和喷头,所述喷头是在所述处理室中,在所述喷头的第一区域中具有多个第一孔而所述多个第一孔具有第一孔径,在所述喷头的第二区域中具有多个第二孔而所述多个第二孔具有第二孔径,并且在所述喷头的第三区域中具有多个第三孔而所述第三孔具有第三孔径;所述第一孔径不同于所述第二孔径,所述第一区域被所述第二区域包围,并且所述第一区域的面积大于所述第二区域的面积;所述第一孔径不同于所述第三孔径,所述第一区域被所述第三区域包围,并且所述第一区域的面积大于所述第三区域的面积。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 制造 喷头 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的