[发明专利]用于半导体制造的喷头

权利要求书

1.一种用于处理基板的设备，其特征在于，包括：

处理室；和

喷头，所述喷头是在所述处理室中，在所述喷头的第一区域中具有多个第一孔而所述多个第一孔具有第一孔径，在所述喷头的第二区域中具有多个第二孔而所述多个第二孔具有第二孔径，并且在所述喷头的第三区域中具有多个第三孔而所述第三孔具有第三孔径；

其中，所述第一孔径不同于所述第二孔径，所述第一区域被所述第二区域包围，并且所述第一区域的面积大于所述第二区域的面积；和

其中，所述第一孔径不同于所述第三孔径，所述第一区域被所述第三区域包围，并且所述第一区域的面积大于所述第三区域的面积。

2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，其中，所述第一孔径约为0.68mm至0.72mm。

3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，其中，所述第二孔径约为0.72mm至0.74mm。

4.如权利要求1所述的设备，其特征在于，其中，所述第三孔径约为0.74mm至0.76mm。

5.如权利要求1所述的设备，其特征在于，其中，所述第一区域的宽度约为210mm至250mm。

6.如权利要求1所述的设备，其特征在于，其中，所述多个第一孔的每一孔具有横截面，并且在所述第一区域中，所述多个第一孔的所述横截面的面积总和约为700mm²至900mm²。

7.如权利要求1所述的设备，其特征在于，其中，所述多个第二孔的每一孔具有横截面，并且在所述第二区域中，所述多个第二孔的所述横截面的面积总和约为100mm²至200mm²。

8.如权利要求1所述的设备，其特征在于，其中，所述多个第三孔的每一孔具有横截面，并且在第三区域中，所述多个第三孔的所述横截面的面积总和约为200mm²至300mm²。

9.一种方法，其特征在于，包括：

通过进气口接收第一处理气体；

在喷头上不均匀地分布所述第一处理气体；

和从所述喷头流过第二处理气体均匀地分布所述第二处理气体于基板之上。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：

使所述第一处理气体流过所述喷头中的多个孔，其中，所述多个孔被分组为所述喷头的第一区域、所述喷头的第二区域和所述喷头的第三区域；

其中，在所述第二区域中所述孔的孔径大于在所述第一区域中所述孔的孔径，在所述第三区域中所述孔的孔径大于在所述第一区域中所述孔的孔径，和在所述第三区域中所述孔的孔径大于在所述第二区域中所述孔的孔径。