[发明专利]用于半导体制造的喷头

说明书

提供了一种用于处理基板的设备，所述设备包括处理室和喷头，所述喷头是在所述处理室中，在所述喷头的第一区域中具有多个第一孔而所述多个第一孔具有第一孔径，在所述喷头的第二区域中具有多个第二孔而所述多个第二孔具有第二孔径，并且在所述喷头的第三区域中具有多个第三孔而所述第三孔具有第三孔径；所述第一孔径不同于所述第二孔径，所述第一区域被所述第二区域包围，并且所述第一区域的面积大于所述第二区域的面积；所述第一孔径不同于所述第三孔径，所述第一区域被所述第三区域包围，并且所述第一区域的面积大于所述第三区域的面积。

相关申请的交叉引用

本申请请求于2018年12月17日提交的美国临时申请No.62/780,368的权益及优先权，其发明名称为SHOWERHEAD FOR SEMICONDUCTOR FABRICATION，其代理人卷号为US75805(以下称为US75805申请)。本申请还请求于2018年12月13日提交的美国临时申请No.62/778,911的权益及优先权，其发明名称为TRIPLE-SIZE HOLE TYPE SHOWERHEAD FORSEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION，其代理人卷号为US75608(以下称为US75608申请)。US75805和US75608申请的揭露内容在此通过引用完全并且入本申请中。

技术领域

本公开总体上涉及一种用于半导体制造的设备和方法。更具体地，本公开涉及处理用于制造半导体器件的基板。

背景技术

由于信息器件的快速和广泛使用，对存储半导体器件的需求正在扩大。随着器件尺寸的减小，存储器半导体装置需要高存储电容和快速的操作速度。处理技术一直致力于提高存储设备的响应速度、可靠性和集成度。举例来说，动态随机存取存储器(DynamicRandom Access Memory，DRAM)装置通常包括一个存取晶体管和一个存储电容器。并且已经使用硼磷硅酸盐玻璃(Boron Phosphorous Silicate Glass，BPSG)膜和/或磷硅酸盐玻璃(Phosphorous Silicate Glass，PSG)膜作为结构膜以形成电容器。通常来说，在基板上沉积BPSG膜/PSG膜是藉由低压化学气相沉积(Low-Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)进行，其中化学反应物通过喷头分布到基板上。

发明内容

鉴于上述情况，本公开涉及处理用于制造半导体器件的基板。

本申请的实施方式涉及一种用于处理基板的设备。所述设备包括处理室和喷头，所述喷头是在所述处理室中，在所述喷头的第一区域中具有多个第一孔而所述多个第一孔具有第一孔径，在所述喷头的第二区域中具有多个第二孔而所述多个第二孔具有第二孔径，并且在所述喷头的第三区域中具有多个第三孔而所述第三孔具有第三孔径；所述第一孔径不同于所述第二孔径，所述第一区域被所述第二区域包围，并且所述第一区域的面积大于所述第二区域的面积；所述第一孔径不同于所述第三孔径，所述第一区域被所述第三区域包围，并且所述第一区域的面积大于所述第三区域的面积。

根据一些实施方式，所述第一孔径约为0.68mm至0.72mm。

根据一些实施方式，所述第二孔径约为0.72mm至0.74mm。

根据一些实施方式，所述第三孔径约为0.74mm至0.76mm。

根据一些实施方式，所述第一区域的宽度约为210mm至250mm。

根据一些实施方式，所述多个第一孔的每一孔具有横截面，并且在所述第一区域中，所述多个第一孔的所述横截面的面积总和约为700mm²至900mm²。

根据一些实施方式，所述多个第二孔的每一孔具有横截面，并且在所述第二区域中，所述多个第二孔的所述横截面的面积总和约为100mm²至200mm²。