[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911249262.0 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN111755602A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 金承默 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;阮爱青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件及其制造方法。一种电容器包括：多个下底部电极；下支撑件，其支撑下底部电极并包括多个下支撑件开口；上底部电极，其分别形成在下底部电极上；以及上支撑件，其支撑上底部电极并包括多个上支撑件开口，其中，下支撑件开口与上支撑件开口彼此不垂直重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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