[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911249262.0 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN111755602A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 金承默 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;阮爱青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种电容器，包括：
多个下底部电极；
下支撑件，其支撑所述下底部电极并包括多个下支撑件开口；
上底部电极，其分别形成在所述下底部电极上；以及
上支撑件，其支撑所述上底部电极并包括多个上支撑件开口；
其中，所述下支撑件开口与所述上支撑件开口彼此不垂直重叠。
2.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述下底部电极包括：
被完全支撑的下底部电极，其被所述下支撑件完全包围；以及
被部分支撑的下底部电极，其被所述下支撑件部分包围。
3.根据权利要求2所述的电容器，其中，所述上底部电极包括：
被完全支撑的上底部电极，其被所述上支撑件完全包围；以及
被部分支撑的上底部电极，其被所述上支撑件部分包围。
4.如权利要求3所述的电容器，其中，所述被完全支撑的下底部电极和所述被部分支撑的上底部电极彼此垂直接触。
5.根据权利要求3所述的电容器，其中，所述被部分支撑的下底部电极和所述被完全支撑的上底部电极彼此垂直接触。
6.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述下支撑件和所述上支撑件包含相同的材料。
7.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述下底部电极和所述上底部电极中的每个具有柱形状。
8.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述下底部电极中的每个具有柱形状，并且所述上底部电极的每个具有圆筒形状。
9.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述下底部电极中的每个具有柱筒形状，并且所述上底部电极中的每个具有柱形状。
10.一种制造电容器的方法，包括：
在半导体衬底之上形成下电容器模块，所述下电容器模块包括多个下底部电极和具有多个下支撑件开口的下支撑件，所述多个下支撑件开口部分地暴露所述下底部电极中的一些；以及
在所述下电容器模块上形成上电容器模块，所述上电容器模块包括多个上底部电极和具有多个上支撑件开口的上支撑件，所述多个上支撑件开口部分地暴露所述上底部电极中的一些；
其中，所述下支撑件开口与所述上支撑件开口彼此不垂直重叠。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述下电容器模块的步骤包括：
在所述半导体衬底之上层叠第一模制层和下支撑件层；
通过刻蚀所述下支撑件层和所述第一模制层来形成下开口；
在所述下开口中形成所述下底部电极；以及
通过刻蚀所述下支撑件层来形成具有所述下支撑件开口的所述下支撑件。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述上电容器模块的步骤包括：
在所述下电容器模块之上层叠第二模制层和上支撑件层；
通过刻蚀所述上支撑件层和所述第二模制层来形成顶部开口；
在所述顶部开口中形成所述上底部电极；以及
通过刻蚀所述上支撑件层来形成具有所述上支撑件开口的所述上支撑件。
13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述下底部电极包括：
被完全支撑的下底部电极，其被所述下支撑件完全包围；以及
被部分支撑的下底部电极，其被所述下支撑件部分包围。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述上底部电极包括：
被完全支撑的上底部电极，其被所述上支撑件完全包围；以及
被部分支撑的上底部电极，其被所述上支撑件部分包围。
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