[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
申请号: | 201911249262.0 | 申请日: | 2019-12-09 |
公开(公告)号: | CN111755602A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 金承默 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L49/02 | 分类号: | H01L49/02;H01L23/522 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 许伟群;阮爱青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
本申请提供一种半导体器件及其制造方法。一种电容器包括:多个下底部电极;下支撑件,其支撑下底部电极并包括多个下支撑件开口;上底部电极,其分别形成在下底部电极上;以及上支撑件,其支撑上底部电极并包括多个上支撑件开口,其中,下支撑件开口与上支撑件开口彼此不垂直重叠。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年3月29日提交的申请号为10-2019-0037176的韩国专利申请的优先权,其公开内容通过引用整体合并于此。
技术领域
本公开的各个实施例涉及一种半导体器件,并且更具体地,涉及一种包括电容器的半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法。
背景技术
随着半导体器件的集成度的提高,需要在有限面积内的具有足够电容的电容器。电容器的电容与电极的表面积和电介质材料的介电常数成正比,与电介质材料的等效氧化物厚度成反比。用于增大在有限面积内的电容器的电容的方法的示例可以包括如下方法:通过形成具有三维结构的电容器来增大电极的表面积、减小电介质材料的等效氧化物厚度或使用高k电介质材料。
发明内容
各个实施例针对包括其可靠性被改善的电容器的半导体器件,以及用于制造该半导体器件的方法。
根据本发明的实施例,一种电容器,包括:多个下底部电极;下支撑件,其支撑下底部电极并包括多个下支撑件开口;上底部电极,其分别形成在所述下底部电极上;以及上支撑件,其支撑上底部电极并包括多个上支撑件开口,其中,所述下支撑件开口与所述上支撑件开口彼此不垂直重叠。
根据一个实施例,一种用于制造电容器的方法包括:在半导体衬底之上形成下电容器模块,所述下电容器模块包括多个下底部电极和具有多个下支撑件开口的下支撑件,所述下支撑件开口部分地暴露下底部电极中的一些;在所述下电容器模块上形成上电容器模块,所述上电容器模块包括多个上底部电极和具有多个上支撑件开口的上支撑件,所述上支撑件开口部分地暴露出所述上底部电极中的一些,其中,所述下支撑件开口与所述上支撑件开口彼此不垂直重叠。
从下面结合附图的详细描述中,本发明的这些特征和其他特征以及优点对于本发明领域的技术人员将变得显而易见。
附图说明
图1A是示出根据本发明的一实施例的半导体器件的截面图。
图1B是示出图1A所示的下电容器模块的下底部电极和下支撑件的平面图。
图1C是示出图1A所示的上电容器模块的上底部电极和上支撑件的平面图。
图2A至图2J是示出根据本发明的一实施例的用于制造半导体器件的方法的截面图。
图3至图5是示出根据各种实施例的半导体器件的截面图。
图6A至图6E是示出根据比较示例的用于制造电容器的方法的截面图。
图7A至图8B是示出根据实施例的半导体器件的示图。
图9是示出根据本发明的一实施例的半导体器件的截面图。
图10A至图10D是示出用于制造图9所示的半导体器件的方法的示图。
具体实施方式
将参考作为本发明的理想示意图的截面图、平面图和框图来描述本文中所描述的本公开的各种实施例。因此,可以根据制造技术和/或公差来修改附图的结构。本发明的实施例不限于附图中所示的特定结构,而是可以包括根据制造工艺而产生的结构的任何改变。因此,在附图中示出的区域具有示意性属性,并且在附图中示出的区域的形状旨在示出元件的区域的特定结构,而非旨在限制本发明的范围。
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