[发明专利]一种基于SOI衬底的TVS器件及其制造方法

摘要

一种基于SOI衬底的TVS器件及其制造方法，所述的TVS器件基本单元由二氧化硅埋层和二氧化硅深、浅槽构成隔离层，所述的二氧化硅埋层表面有依序第一二氧化硅深槽、第一N‑区、N+区、第二二氧化硅深槽、第二N‑区、NW区和第三二氧化硅深槽，包含二个结构相同且由P+/P‑/N‑区构成的降电容二极管一、二，且第一、二P+区二侧均有二氧化硅槽隔离；一个由NW/P+区构成TVS管。本发明还提供了上述TVS器件的制造方法。本发明TVS器件产品大大减小了TVS器件在工作时的漏电损耗，超低电容，更低钳位电压和降低了体内寄生电阻，因此钳位电压也相应很低。比常规产品低20%左右。

主权项

1.一种基于SOI衬底的TVS器件，采用SOI衬底，其特征在于，基本单元由二氧化硅埋层和二氧化硅槽构成隔离层，所述的二氧化硅埋层表面依序有第一二氧化硅深槽、第一N-区、N+区、第二二氧化硅深槽、第二N-区、NW区和第三二氧化硅深槽，其中，/n所述的二氧化硅埋层厚度不小于6000Å；在第一、第二N-区表面并列设有掺杂第一P-区、第一二氧化硅浅槽、第二P-区、第二二氧化硅浅槽，且分别在第一、二P-区表面掺杂形成有第一、二P+区，构成二个结构相同且由P+/P-/N-区构成的降电容二极管一、二，且第一、二P+区二侧均有二氧化硅槽隔离；/n在NW区表面形成有掺杂第三P+区，由NW/第三P+区构成TVS管，第三P+区截面大于第一、二P+区的截面，且第三P+区二侧由第二二氧化硅深槽、第三二氧化硅浅槽隔离；/n在第一和三P+区上表面有金属接地端，在N+和第二P+上表面有金属IO端，上表面其他部分由钝化层覆盖隔离。/n