[发明专利]一种基于SOI衬底的TVS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种基于SOI衬底的TVS器件，采用SOI衬底，其特征在于，基本单元由二氧化硅埋层和二氧化硅槽构成隔离层，所述的二氧化硅埋层表面依序有第一二氧化硅深槽、第一N-区、N+区、第二二氧化硅深槽、第二N-区、NW区和第三二氧化硅深槽，其中，

所述的二氧化硅埋层厚度不小于6000Å；在第一、第二N-区表面并列设有掺杂第一P-区、第一二氧化硅浅槽、第二P-区、第二二氧化硅浅槽，且分别在第一、二P-区表面掺杂形成有第一、二P+区，构成二个结构相同且由P+/P-/N-区构成的降电容二极管一、二，且第一、二P+区二侧均有二氧化硅槽隔离；

在NW区表面形成有掺杂第三P+区，由NW/第三P+区构成TVS管，第三P+区截面大于第一、二P+区的截面，且第三P+区二侧由第二二氧化硅深槽、第三二氧化硅浅槽隔离；

在第一和三P+区上表面有金属接地端，在N+和第二P+上表面有金属IO端，上表面其他部分由钝化层覆盖隔离。

2.根据权利要求1所述的基于SOI衬底的TVS器件，其特征在于，所述的N-区优选的电阻率50~100Ω*cm，N-层厚度为2~8μm。

3.根据权利要求1所述的基于SOI衬底的TVS器件，其特征在于，所述的二氧化硅深槽的深度为2~8μm，宽度为1~2μm。

4.根据权利要求1所述的基于SOI衬底的TVS器件，其特征在于，所述的二氧化硅浅槽深度在0.5~1μm，宽度为1~3μm。

5.根据权利要求1所述的基于SOI衬底的TVS器件，其特征在于，所述的NW区注入元素为磷，注入剂量为1E12~1E13cm^-2，注入能量为80~120Ke。

6.根据权利要求1所述的基于SOI衬底的TVS器件，其特征在于，所述的N+区注入元素为磷或者砷，注入剂量为1E15~1E16cm^-2，注入能量为80~120KeV。

7.根据权利要求1所述的基于SOI衬底的TVS器件，其特征在于，所述的P-区注入元素为硼，注入剂量为5E12~5E13cm ^-2，注入能量为80~100KeV，且P-结深小于或等于二氧化硅浅槽的深度。

8.根据权利要求1所述的基于SOI衬底的TVS器件，其特征在于，所述的P+区注入元素为硼或二氟化硼，注入剂量为1E15~1E16 cm ^-2，注入能量为40~50KeV，P+结深小于二氧化硅浅槽的深度。