[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201911219143.0 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN111261696A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | J.特威南;A.比尔纳;H.布雷赫 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈晓;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了半导体器件和制造半导体器件的方法。在实施例中，一种半导体器件包括：支撑衬底，所述支撑衬底具有能够支持至少一个III‑V半导体的外延生长的第一表面，以及与第一表面相对的第二表面；被定位在所述第一表面上的至少一个台面，每个台面包括在所述支撑衬底的第一表面上的外延III‑V半导体基的多层结构，所述III‑V半导体基的多层结构与所述第一表面形成一边界；以及被定位成与所述边界横向相邻的寄生沟道抑制区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911219143.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：继电器
- 下一篇：在湿热机械载荷下确定椽条及界面残余应力和性质的方法
- 同类专利
- 专利分类
