[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

说明书

本发明公开了半导体器件和制造半导体器件的方法。在实施例中，一种半导体器件包括：支撑衬底，所述支撑衬底具有能够支持至少一个III‑V半导体的外延生长的第一表面，以及与第一表面相对的第二表面；被定位在所述第一表面上的至少一个台面，每个台面包括在所述支撑衬底的第一表面上的外延III‑V半导体基的多层结构，所述III‑V半导体基的多层结构与所述第一表面形成一边界；以及被定位成与所述边界横向相邻的寄生沟道抑制区。

技术领域

本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。

背景技术

至今为止，典型地利用硅（Si）半导体材料来制造在功率电子应用中所使用的晶体管。用于功率应用的常见晶体管器件包括Si CoolMOS®、Si功率MOSFET、以及Si绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。更新近地，已经考虑碳化硅（SiC）功率器件。III族氮化物半导体器件、诸如氮化镓（GaN）器件现在正新兴作为用于承载大电流、支持高电压、以及提供非常低的导通电阻和快速开关时间的有吸引力的候选物。然而，进一步的改进是合期望的。

发明内容

在实施例中，一种半导体器件包括：支撑衬底，所述支撑衬底具有能够支持至少一个III-V半导体的外延生长的第一表面以及与第一表面相对的第二表面；被定位在所述第一表面上的至少一个台面，每个台面包括在所述支撑衬底的第一表面上的外延III-V半导体基的多层结构，所述III-V半导体基的多层结构与所述第一表面形成一边界；以及被定位成与所述边界横向相邻的寄生沟道抑制区。

在实施例中，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底具有能够支持至少一个III-V半导体层的外延生长的第一表面；使多层III-V半导体结构在所述第一表面上外延生长；移除所述多层III-V半导体结构的区并且产生至少一个台面；以及在与所述台面横向相邻的衬底的第一表面处和/或在台面的侧面上形成寄生沟道抑制区。

本领域技术人员在阅读以下详细描述时并且在查看附图时将认识到附加的特征和优点。

附图说明

附图的元素相对于彼此不一定按比例。同样的参考标号标明对应的类似部分。各种所说明的实施例的特征可以被组合，除非它们排斥彼此。示例性实施例在附图中被描绘并且在随后的描述中被详述。

图1图示了根据实施例的半导体器件。

图2，其包括图2A至2F，图示了制造半导体器件的方法。

图3，其包括图3A至3E，图示了根据各种实施例的半导体器件。

图4A图示了包括多个台面的半导体器件的横截面视图。

图4B图示了包括多个台面的半导体器件的平面视图。

具体实施方式

在以下详细描述中，参考了附图，所述附图形成本文的一部分，并且其中作为图示而示出了其中可以实践本发明的特定实施例。在这方面，方向性术语、诸如“顶部”、“底部”、“前方”、“背部”、“领先”、“拖尾”等等参考正被描述的（多幅）图的定向而被使用。因为实施例的组件可以用许多不同的定向而被定位，所以方向性术语用于说明的目的，并且决不是限制性的。要理解的是，可以利用其它实施例，并且可以做出结构性或逻辑改变而不偏离本发明的范围。对其的以下详细描述不要以限制性意义被理解，并且本发明的范围由所附权利要求来限定。

将在以下解释多个示例性实施例。在该情况中，通过各图中相同或相似的参考符号来标识相同的结构特征。在本描述的上下文中，“横向”或“横向方向”应当被理解为意指一般与半导体材料或半导体载体的横向伸展平行地延伸的方向或伸展。横向方向因而一般与这些表面或侧平行地延伸。与其相比之下，术语“垂直”或“垂直方向”被理解为意指一般与这些表面或侧并且因而与横向方向正交地延伸的方向。垂直方向因此在半导体材料或半导体载体的厚度方向上延伸。