[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

支撑衬底，所述支撑衬底具有能够支持至少一个III V半导体的外延生长的第一表面以及与第一表面相对的第二表面；

被定位在所述第一表面上的至少一个台面，每个台面包括在所述支撑衬底的第一表面上的外延III-V半导体基的多层结构，所述III-V半导体基的多层结构与所述第一表面形成一边界；

被定位成与所述边界横向相邻的寄生沟道抑制区。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述寄生沟道抑制区包括非晶层或多晶层或高缺陷密度区。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体器件，其中所述寄生沟道抑制区被布置成在支撑衬底的第一表面处与台面横向地相邻。

4.根据权利要求1至3中之一所述的半导体器件，其中所述寄生沟道抑制区被布置在台面的至少一个侧面上。

5.根据权利要求1至4中之一所述的半导体器件，其中所述III-V半导体是III族氮化物。

6.根据权利要求1至5中之一所述的半导体器件，此外包括绝缘材料，其中台面的侧面被嵌入在绝缘材料中。

7.根据权利要求1至5中之一所述的半导体器件，此外包括至少一个空腔，其被布置成与台面横向地相邻。

8.根据权利要求1至7中之一所述的半导体器件，其中所述寄生沟道抑制区此外包括经注入的物种，其中所述物种包括如下组中的至少一个：该组包括Ar、Kr、Xe、Ne、He、N、O、H、Fe、C、Si和Al。

9.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供衬底，所述衬底具有能够支持至少一个III-V半导体层的外延生长的第一表面；

在所述第一表面上外延生长多层III-V半导体结构；

移除所述多层III-V半导体结构的区并且产生至少一个台面，

在衬底的第一表面处与所述台面横向相邻地和/或在台面的侧面上形成寄生沟道抑制区。

10.根据权利要求9所述的方法，其中形成寄生沟道抑制区包括在与台面横向相邻的定位处往衬底的第一表面中注入物种和/或往台面的至少一个侧面中注入物种。

11.根据权利要求9或权利要求10所述的方法，其中所述物种包括如下组中的至少一个：该组包括Ar、Kr、Xe、Ne、He、N、O、H、Fe、C、Si和Al。

12.根据权利要求9至11中之一所述的方法，其中以两个或更多不同的能量来注入物种。

13.根据权利要求9至12中之一所述的方法，此外包括：

移除与台面相邻的晶圆的第一表面的一部分以产生第一工作表面，使得在晶圆与多层III-V半导体结构之间的边界被布置在台面中并且在第一工作表面上方的某一距离处。

14.根据权利要求9至13中之一所述的方法，此外包括将绝缘层施加到台面之间的区。

15.根据权利要求9至14中之一所述的方法，其中所述III-V半导体是III族氮化物，所述方法此外包括在台面的多层III族氮化物结构上形成金属化结构，所述金属化结构提供用于晶体管结构的源极、栅极和漏极。