[发明专利]存储结构及其擦除方法在审

专利信息
申请号: 201911214611.5 申请日: 2019-12-02
公开(公告)号: CN110970075A 公开(公告)日: 2020-04-07
发明(设计)人: 郑钟倍 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: G11C16/14 分类号: G11C16/14;G06F3/06
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种存储结构及其擦除方法,能够对存储块执行擦除操作,包括:第一存储体、第二存储体、第三存储体及控制器,所述存储块按照编号顺次交替设置在所述第一存储体、第二存储体和第三存储体中,所述控制器用于控制所述存储块以设定的擦除方式按照编号顺次执行第一过程、第二过程和第三过程的擦除过程;所述擦除方式包括:存储块Bi在执行第三过程时,存储块Bi+1在执行第二过程,存储块Bi+2在执行第一过程,其中,i∈[1,n‑2]。本发明中的相邻三个存储块同步进行第一过程、第二过程和第三过程,从而节约了存储结构整体擦除的擦除时间,提高了擦除的效率,并且不需要额外的电路,可以在不增加成本的情况下实施。
搜索关键词: 存储 结构 及其 擦除 方法
【主权项】:
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