[发明专利]存储结构及其擦除方法

权利要求书

1.一种存储结构，能够对存储块B₁、B₂…B_n执行擦除操作，n为大于或等于3的整数，其特征在于，包括：第一存储体、第二存储体、第三存储体及控制器，所述存储块按照编号顺次交替设置在所述第一存储体、第二存储体和第三存储体中，所述控制器用于控制所述存储块以设定的擦除方式按照编号顺次进行擦除操作，所述擦除操作包括顺次执行第一过程、第二过程和第三过程；

所述擦除方式包括：存储块B_i在执行第三过程时，存储块B_i+1在执行第二过程，存储块B_i+2在执行第一过程，其中，i∈[1，n-2]。

2.如权利要求1所述的存储结构，其特征在于，存储块B₁完成第一过程之后，存储块B₁执行第二过程，同时存储块B₂执行第一过程，之后依次对其余存储块执行所述擦除方式；存储块B_i完成第三过程、存储块B_i+1完成第二过程以及存储块B_i+2完成第一过程之后，存储块B_i+1再执行第三过程；直至，存储块B_n-1完成第二过程之后，存储块B_n-1执行第三过程，同时存储块B_n执行第二过程，存储块B_n完成第二过程之后，单独执行第三过程。

3.如权利要求1或2所述的存储结构，其特征在于，所述第一过程包括预编程步骤，所述第二过程包括擦除步骤，所述第三过程包括过擦除修复步骤。

4.如权利要求1或2所述的存储结构，其特征在于，所述第一存储体、第二存储体及第三存储体中的存储块的数量均相同。

5.如权利要求1或2所述的存储结构，其特征在于，所述第一存储体与所述第二存储体中的存储块的数量相同，所述第三存储体中的存储块的数量与所述第一存储体和所述第二存储体中的存储块的数量不相同；或者所述第二存储体与所述第三存储体中的存储块的数量相同，所述第一存储体中的存储块的数量与所述第二存储体和所述第三存储体中的存储块的数量不相同。

6.如权利要求1或2所述的存储结构，其特征在于，所述存储结构包括M个存储体，其中，M≥3。

7.如权利要求1所述的存储结构，其特征在于，所述控制器包括：

第一存储体控制器，连接并控制所述第一存储体；

第二存储体控制器，连接并控制所述第二存储体；

第三存储体控制器，连接并控制所述第三存储体；

芯片控制器，连接所述第一存储体控制器、所述第二存储体控制器和第三存储体控制器，并能够同步操作第一存储体控制器、第二存储体控制器和第三存储体控制器中的存储块。

8.如权利要求1或7所述的存储结构，其特征在于，所述存储结构为Nor闪存。

9.一种存储结构的擦除方法，用于对存储块B₁、B₂…B_n执行擦除操作，n为大于或等于3的整数，其特征在于，包括：

所述存储块按照编号顺次交替设置在第一存储体、第二存储体和第三存储体中；

控制所述存储块以设定的擦除方式按照编号顺次进行擦除操作；

其中，所述擦除操作包括顺次执行第一过程、第二过程和第三过程，所述擦除方式包括：存储块B_i在执行第三过程时，存储块B_i+1在执行第二过程，存储块B_i+2在执行第一过程，其中，i∈[1，n-2]。

10.如权利要求9所述的存储结构的擦除方法，其特征在于，所述存储结构的擦除方法是对所述存储结构进行整体擦除。