[发明专利]一种CVD合成金刚石生长前刻蚀控制方法及控制装置有效
| 申请号： | 201911213913.0 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN110747505B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 彭国令;黄翀 | 申请（专利权）人： | 长沙新材料产业研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/04;C01B32/26 |
| 代理公司： | 长沙楚为知识产权代理事务所(普通合伙) 43217 | 代理人： | 李大为 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种CVD合成金刚石生长前刻蚀控制方法及控制装置。一种CVD合成金刚石生长前刻蚀控制方法，包括步骤：S1、将金刚石籽晶放进刻蚀仓中，进行刻蚀操作；S2、光谱检测仪按照预定检测方式实时监测获得籽晶上方等离子体的光谱数据；S3、光谱检测仪将所述光谱数据发送到控制器中；S4、所述控制器检测是否存在目标数据，若是，则刻蚀完成；若否，则执行步骤S2。本发明提供的CVD合成金刚石生长前刻蚀控制方法，通过对刻蚀过程中的等离子体参数进行观测，可以得到谱峰强度与时间的关系，精确控制刻蚀时间，避免无效率的生产活动，提高了产品的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cvd 合成 金刚石 生长 刻蚀 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种CVD合成金刚石生长前刻蚀控制方法，其特征在于，包括步骤：/nS1、将金刚石籽晶放进刻蚀仓中，进行刻蚀操作；/nS2、光谱检测仪按照预定检测方式实时监测获得籽晶上方等离子体的光谱数据；/nS3、光谱检测仪将所述光谱数据发送到控制器中；/nS4、所述控制器检测是否存在目标数据，若是，则刻蚀完成；若否，则执行步骤S2。/n
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