[发明专利]一种CVD合成金刚石生长前刻蚀控制方法及控制装置

权利要求书

1.一种CVD合成金刚石生长前刻蚀控制方法，其特征在于，包括步骤：

S1、将金刚石籽晶放进刻蚀仓中，进行刻蚀操作；

S2、光谱检测仪按照预定检测方式实时监测获得籽晶上方等离子体的光谱数据；

S3、光谱检测仪将所述光谱数据发送到控制器中；

S4、所述控制器检测是否存在目标数据，所述目标数据为检测437nm或493nm的碳原子峰、558nm的碳分子峰光谱强度的变化超过预定值，所述预定值为15％-30％，若是，则刻蚀完成；若否，则执行步骤S2。

2.根据权利要求1所述的CVD合成金刚石生长前刻蚀控制方法，其特征在于，所述预定检测方式包括：单点检测、多点远程检测、循环运动检测。

3.根据权利要求1所述的CVD合成金刚石生长前刻蚀控制方法，其特征在于，所述前期刻蚀操作为：

S11、通入氢气，同时匹配第一预定功率的微波；

S12、持续增加气体压力到第一预定压力，调整微波功率为第二预定功率；

S13、在所述刻蚀仓的温度达到目标温度后，通入氧气进行刻蚀。

4.根据权利要求1所述的CVD合成金刚石生长前刻蚀控制方法，其特征在于，所述刻蚀仓为金刚石合成用的合成仓。

5.根据权利要求3所述的CVD合成金刚石生长前刻蚀控制方法，其特征在于，在刻蚀完成后，执行正常生长金刚石操作为：

S41、真空处理所述刻蚀仓，向所述刻蚀仓中通入第三预定功率的微波源；

S42、调整所述刻蚀仓中的压力与温度，通入碳源，进行金刚石生长。

6.根据权利要求1所述的CVD合成金刚石生长前刻蚀控制方法，其特征在于，所述预定值为15％。

7.一种应用权利要求1-6任一所述CVD合成金刚石生长前刻蚀控制方法的CVD合成金刚石生长前刻蚀装置，其特征在于，包括：光谱检测仪和控制器；

所述光谱检测仪，用于检测金刚石籽晶刻蚀过程中获得籽晶上方等离子体的光谱数据，并将光谱数据传送到所述控制器中；

所述控制器，用于将所述光谱数据进行整合，检测是否存在目标数据；

所述控制器中具有存储器，所述存储器存储所述目标数据。