[发明专利]氧化石墨烯薄膜的制备方法、OLED器件及制备方法

摘要

本申请公开了一种氧化石墨烯薄膜的制备方法、一种OLED器件及制备方法，其中，所述OLED器件包括层叠设置的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极，所述空穴注入层为浓度范围为0.3～1mg/ml的氧化石墨烯层，所述空穴传输层为N,N′‑二苯基‑N,N′‑二(3‑甲苯基)‑1,1′‑联苯‑4,4′‑二胺、1,4‑二(二苯胺基)联苯以及N,N′‑二苯基‑N,N′‑二(1‑萘基)‑1,1′‑联苯‑4,4′‑二胺中的任意一种。