[发明专利]氧化石墨烯薄膜的制备方法、OLED器件及制备方法在审

专利信息
申请号: 201911210605.2 申请日: 2019-12-02
公开(公告)号: CN111081904A 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 汪亚民 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 远明
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 氧化 石墨 薄膜 制备 方法 oled 器件
【权利要求书】:

1.一种氧化石墨烯薄膜的制备方法,其特征在于,所述方法包括:

S10,提供一初始浓度为特定浓度的氧化石墨烯水溶液,采用紫外光还原的方法将其初始浓度分散成第一浓度,制得第一氧化石墨烯溶液;

S20,将所述第一氧化石墨烯溶液放到超声清洗仪中,并在第一温度下进行水浴震荡;

S30,之后使用旋涂的方法将经过水浴震荡后的所述第一氧化石墨烯溶液涂布成氧化石墨烯薄膜。

2.如权利要求1所述的氧化石墨烯薄膜的制备方法,其特征在于,所述S10中,所述第一浓度为所述初始浓度的0.06~0.2倍。

3.如权利要求1所述的氧化石墨烯薄膜的制备方法,其特征在于,所述S20中,所述第一温度的范围为20~40℃,所述水浴震荡的时间范围为2~6h。

4.一种OLED器件,包括层叠设置的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极,其特征在于,所述空穴注入层为氧化石墨烯层,所述空穴传输层为N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲苯基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、1,4-二(二苯胺基)联苯以及N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺中的任意一种。

5.如权利要求4所述的OLED器件,其特征在于,所述氧化石墨烯层中使用的氧化石墨烯溶液的浓度范围为0.3~1mg/ml。

6.一种OLED器件的制备方法,其特征在于,所述方法包括:

S10,在清洗干净后的基底上采用磁控溅射的方法制备阳极得到阳极基板;

S20,采用紫外光还原的方法调节氧化石墨烯溶液的浓度,之后使用旋涂方式在所述阳极基板上涂布所述氧化石墨烯溶液,经干燥处理后得到空穴注入层;

S30,使用蒸镀工艺在所述空穴注入层依次沉积空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极。

7.如权利要求6所述的OLED器件的制备方法,其特征在于,所述S20还包括:

S201,提供一初始浓度为特定浓度的氧化石墨烯溶液,采用紫外光还原的方法调节所述氧化石墨烯溶液的浓度,制得第一氧化石墨烯溶液;

S202,将所述第一氧化石墨烯溶液经超声清洗仪水浴震荡2-6h且超声过程控温20~40℃后涂布于所述阳极基板上,经干燥处理后得到空穴注入层。

8.如权利要求7所述的OLED器件的制备方法,其特征在于,所述S201中,所述第一浓度为所述初始浓度的0.06~0.2倍。

9.如权利要求6所述的OLED器件的制备方法,其特征在于,所述S30中,所述发光层的蒸镀速率在之间,所述电子注入层的蒸镀速率在之间,所述阴极的蒸镀速率在之间。

10.如权利要求6所述的OLED器件的制备方法,其特征在于,所述S30中,所述发光层的材料为三(8-羟基喹啉)铝,所述电子注入层的材料为LiF,所述阴极的材料为Al。

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