[发明专利]氧化石墨烯薄膜的制备方法、OLED器件及制备方法

说明书

本申请公开了一种氧化石墨烯薄膜的制备方法、一种OLED器件及制备方法，其中，所述OLED器件包括层叠设置的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极，所述空穴注入层为浓度范围为0.3～1mg/ml的氧化石墨烯层，所述空穴传输层为N,N′‑二苯基‑N,N′‑二(3‑甲苯基)‑1,1′‑联苯‑4,4′‑二胺、1,4‑二(二苯胺基)联苯以及N,N′‑二苯基‑N,N′‑二(1‑萘基)‑1,1′‑联苯‑4,4′‑二胺中的任意一种。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种氧化石墨烯薄膜的制备方法、OLED器件及制备方法。

背景技术

随着OLED器件(Organic Light Emission Diode，有机电致发光器件)，具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及响应速度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，OLED器件的发光性能主要与功能层之间的能级匹配度相关。然而，传统的OLED器件的发光效率及稳定性较差，各功能层之间的亲和性不强，使得各功能层之间的能级匹配度较差，从而直接影响OLED器件的发光效率。

综上所述，现有的OLED器件及制备方法，由于各功能层之间的亲和性不强，使得各功能层之间的能级匹配度较差，从而直接影响OLED器件的发光效率。

发明内容

本申请实施例提供一种氧化石墨烯薄膜的制备方法、OLED器件及制备方法，能够有效提升OLED器件的发光效率，以解决现有的OLED器件及制备方法，由于各功能层之间的亲和性不强，使得各功能层之间的能级匹配度较差，从而直接影响OLED器件的发光效率的技术问题。

本申请实施例提供一种氧化石墨烯薄膜的制备方法，所述方法包括：

S10，提供一初始浓度为特定浓度的氧化石墨烯水溶液，采用紫外光还原的方法将其初始浓度分散成第一浓度，制得第一氧化石墨烯溶液；

S20，将所述第一氧化石墨烯溶液放到超声清洗仪中，并在第一温度下进行水浴震荡；

S30，之后使用旋涂的方法将经过水浴震荡后的所述第一氧化石墨烯溶液涂布成氧化石墨烯薄膜。

在一些实施例中，所述S10中，所述第一浓度为所述初始浓度的0.06～0.2倍。

在一些实施例中，所述S20中，所述第一温度的范围为20～40℃，所述水浴震荡的时间范围为2～6h。

本申请实施例还提供一种OLED器件，包括层叠设置的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极，其特征在于，所述空穴注入层为氧化石墨烯层，所述空穴传输层为N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲苯基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、1,4-二(二苯胺基)联苯以及N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺中的任意一种。

在一些实施例中，所述氧化石墨烯层中使用的氧化石墨烯溶液的浓度范围为0.3～1mg/ml。

本申请实施例还提供一种OLED器件的制备方法，所述方法包括：

S10，在清洗干净后的基底上采用磁控溅射的方法制备阳极得到阳极基板；

S20，采用紫外光还原的方法调节氧化石墨烯溶液的浓度，之后使用旋涂方式在所述阳极基板上涂布所述氧化石墨烯溶液，经干燥处理后得到空穴注入层；

S30，使用蒸镀工艺在所述空穴注入层依次沉积空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极。

在一些实施例中，所述S20还包括：

S201，提供一初始浓度为特定浓度的氧化石墨烯溶液，采用紫外光还原的方法调节所述氧化石墨烯溶液的浓度，制得第一氧化石墨烯溶液；