[发明专利]一种超薄芯片的晶背制备方法在审
| 申请号： | 201911208788.4 | 申请日： | 2019-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN111081623A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 高峰;黄勇超;林廷伟 | 申请（专利权）人： | 闳康技术检测（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/304 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及芯片分析技术领域，公开了一种超薄芯片的晶背制备方法，包括如下步骤：S1：使用热熔胶固定芯片的锡球面，其中热熔胶涂抹均匀；S2：裁剪板载体，其中板载体的最大截面面积大于芯片的最大截面面积；S3：使用热熔胶将芯片粘接在板载体上，其中，所述板载体的中间部位开设形状与芯片适配的卡接槽，芯片背面卡接在所述卡接槽内；S4：研磨去除表面的板载体，露出芯片背面；S5：化学法去除芯片背面的胶体；S6：拆下样品；研磨时，受到的力会被板载体均匀开，同时板载体还能增加研磨的阻力，在厚度变薄时其进度会更容易控制，提高研磨的均匀度与质量，使得芯片背面不会出现裂纹以及研磨更均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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