[发明专利]一种超薄芯片的晶背制备方法在审
| 申请号： | 201911208788.4 | 申请日： | 2019-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN111081623A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 高峰;黄勇超;林廷伟 | 申请（专利权）人： | 闳康技术检测（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/304 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 芯片 制备 方法 | ||
1.一种超薄芯片的晶背制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：使用热熔胶固定芯片的锡球面，其中热熔胶涂抹均匀；
S2：裁剪板载体，其中板载体的最大截面面积大于芯片的最大截面面积；
S3：使用热熔胶将芯片粘接在板载体上，其中，所述板载体的中间部位开设形状与芯片适配的卡接槽，芯片背面卡接在所述卡接槽内；
S4：研磨去除表面的板载体，露出芯片背面；
S5：化学法去除芯片背面的胶体；
S6：拆下样品。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，S1中还包括：
S11：涂抹热熔胶前，在芯片的锡球面涂抹一层均匀的松香膏；
S12：使用焊风枪对准热熔胶与锡球面之间的缝隙吹热风使松香膏融化并气化，直至热熔胶融化粘接；
S13：静置冷却。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，S2中，板载体的体积为芯片的5/4。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，S3中还包括：
S31：在所述卡接槽侧壁上涂覆热固腊，研磨结束后使用环丙烯清洗掉热固腊。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，S4中还包括：
S41：将板载体的侧边研磨出圆倒角；
S42：露出芯片背面后，磨去板载体的侧边部位。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，S5中还包括：在去除胶体的过程中使用热风枪环绕胶体边缘吹热风。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学法为使用乙醇溶剂清洗热熔胶。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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