[发明专利]一种超薄芯片的晶背制备方法

说明书

本发明涉及芯片分析技术领域，公开了一种超薄芯片的晶背制备方法，包括如下步骤：S1：使用热熔胶固定芯片的锡球面，其中热熔胶涂抹均匀；S2：裁剪板载体，其中板载体的最大截面面积大于芯片的最大截面面积；S3：使用热熔胶将芯片粘接在板载体上，其中，所述板载体的中间部位开设形状与芯片适配的卡接槽，芯片背面卡接在所述卡接槽内；S4：研磨去除表面的板载体，露出芯片背面；S5：化学法去除芯片背面的胶体；S6：拆下样品；研磨时，受到的力会被板载体均匀开，同时板载体还能增加研磨的阻力，在厚度变薄时其进度会更容易控制，提高研磨的均匀度与质量，使得芯片背面不会出现裂纹以及研磨更均匀。

技术领域

本发明涉及芯片分析技术领域，更具体地说，它涉及一种超薄芯片的晶背制备方法。

背景技术

由于即使电路仿真软件不断地提升演进，仍难以100%来确保芯片的设计及布局正确性，一旦发现电路瑕疵只能再次进行光罩改版；然而光罩价格不斐，且重新下光罩后，等待修补过后的芯片时间通常超过一个月。因此，多数IC设计业者，会选择进行IC电路分析与修补，只需几个小时内即可完成分析与修补，确保电路设计符合预期，并降低时间及金钱的成本耗损。

在芯片分析修复时需要制备晶背，晶背即IC芯片背面。现有的晶背制作方法为剖面即晶背研磨，它是快速的样品制备方式之一，利用砂纸或钻石砂纸，搭配研磨头作局部研磨，加上后续的抛光，可处理出清晰的样品表面。

但是，由于超薄芯片背面的接触面积小、厚度薄，使用直接研磨法会使得样品背面出现裂纹以及研磨不均匀，使得芯片分析的成功率很低。

发明内容

针对现有的技术问题，本发明提供一种超薄芯片的晶背制备方法，其具有制备合格晶背的成功率高的优点。

为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：

一种超薄芯片的晶背制备方法，包括如下步骤：

S1：使用热熔胶固定芯片的锡球面，其中热熔胶涂抹均匀；

S2：裁剪板载体，其中板载体的最大截面面积大于芯片的最大截面面积；

S3：使用热熔胶将芯片粘接在板载体上，其中，所述板载体的中间部位开设形状与芯片适配的卡接槽，芯片背面卡接在所述卡接槽内；

S4：研磨去除表面的板载体，露出芯片背面；

S5：化学法去除芯片背面的胶体；

S6：拆下样品。

通过采用上述技术方案，热熔胶固定芯片，然后使用板载体垫住超薄芯片，超薄芯片被垫住后，在研磨时，受到的力会被板载体均匀开，同时板载体还能增加研磨的阻力，在厚度变薄时其进度会更容易控制，提高研磨的均匀度与质量，使得芯片背面不会出现裂纹以及研磨更均匀。

本发明进一步设置为，S1中还包括：

S11：涂抹热熔胶前，在芯片的锡球面涂抹一层均匀的松香膏；

S12：使用焊风枪对准热熔胶与锡球面之间的缝隙吹热风使松香膏融化并气化，直至热熔胶融化粘接；

S13：静置冷却。

通过采用上述技术方案，使用松香可以增加锡球的浸润度，使得热熔胶更好地均布在锡球的表面，并与锡球的表面更好地结合，同时当锡球表面被加热至融化时，表面可以在松香的浸润下变化地更光滑，而松香被气化后，膨胀气体会自锡球表面从锡球与热熔胶之间的缝隙流出，形成的气流会从带走缝隙之间空气，气化的松香会充盈缝隙，热熔胶冷却时，会收缩并凝固，此时气化的松香会固化，体积变小，从而让热熔胶与锡球表面接触更彻底、充分。

本发明进一步设置为，S2中，板载体的体积为芯片的5/4。