[发明专利]堆叠神经元器件结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种堆叠神经元器件结构及其制作方法，结构包括：衬底，衬底中具有外围电路；阻挡层；神经元晶体管阵列，包括阵列排布的多个神经元晶体管；其中，神经元晶体管包括半导体沟道、调制叠层及栅阵列，半导体沟道两端分别与外围电路连接，通过外围电路控制相应的神经元晶体管的选通或关闭，调制叠层位于半导体沟道上，其包括依次层叠的第一介电层、权重浮栅层和第二介电层，栅阵列位于调制叠层上，用于调制权重浮栅的电位，实现权重浮栅的电位加权。本发明实现了一种在平面上阵列排布，在纵向上垂直堆叠的无结型神经元器件结构及制作方法，各神经元晶体管的选通与关闭通过衬底中的外围电路控制，大大提高了神经元器件的集成度。