[发明专利]MEMS麦克风翘曲补偿方法和MEMS麦克风晶圆有效
| 申请号： | 201911204415.X | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110868681B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 李绪民;魏丹珠;单伟中 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/00 | 分类号： | H04R19/00;H04R19/04;H04R31/00;B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 张彬彬 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种MEMS麦克风翘曲补偿方法和MEMS麦克风晶圆；所述MEMS麦克风翘曲补偿方法包括：提供基体，基体的正面形成有正面膜层；对基体的背面进行研磨减薄以形成损伤层，研磨目数范围为200目‑3000目；对基体背面进行刻蚀以形成背腔，实现通过在基体的背面形成损伤层，通过损伤层向基体的背面施加反向表面应力，以抵消基体翘曲的翘曲应力，从而降低基体的翘曲度，有利于MEMS麦克风晶圆的后续工艺的实施。 | ||
| 搜索关键词： | mems 麦克风 补偿 方法 | ||
【主权项】：
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