[发明专利]MEMS麦克风翘曲补偿方法和MEMS麦克风晶圆有效
| 申请号： | 201911204415.X | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110868681B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 李绪民;魏丹珠;单伟中 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/00 | 分类号： | H04R19/00;H04R19/04;H04R31/00;B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 张彬彬 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 麦克风 补偿 方法 | ||
1.一种MEMS麦克风翘曲补偿方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基体，所述基体的正面形成有正面膜层；
对所述基体的背面进行研磨减薄以形成损伤层，研磨目数范围为200目-3000目；所述损伤层的粗糙度小于60纳米；该损伤层对翘曲的基体施加与该翘曲方向相反的表面应力，对该基体形成应力补偿；
对所述基体背面进行刻蚀以形成背腔。
2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风翘曲补偿方法，其特征在于，所述研磨目数范围为1000目-3000目。
3.根据权利要求1至2中任意一项所述的MEMS麦克风翘曲补偿方法，其特征在于，对所述基体的背面进行研磨减薄以形成损伤层的步骤之后，还包括步骤：
在所述损伤层上，形成翘曲补偿膜层。
4.根据权利要求3所述的MEMS麦克风翘曲补偿方法，其特征在于，所述翘曲补偿膜层为二氧化硅或TiW合金。
5.根据权利要求1至2中任意一项所述的MEMS麦克风翘曲补偿方法，其特征在于，对所述基体背面进行刻蚀以形成背腔的步骤之中：
采用Bosch工艺对所述基体的背面进行刻蚀以形成所述背腔。
6.根据权利要求1至2中任意一项所述的MEMS麦克风翘曲补偿方法，其特征在于，所述基体的厚度范围为300微米至350微米。
7.根据权利要求6所述的MEMS麦克风翘曲补偿方法，其特征在于，所述正面膜层的厚度大于10微米。
8.一种利用权利要求1至7中任意一项所述的方法制造的MEMS麦克风晶圆，其特征在于，包括：
基体，所述基体的背面包括损伤层，且开设有背腔；其中，所述损伤层的粗糙度小于60纳米；
正面膜层，所述正面膜层形成在所述基体的正面。
9.根据权利要求8所述的MEMS麦克风晶圆，其特征在于，还包括：
翘曲补偿膜层，所述翘曲补偿膜层形成在所述基体的背面。
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