[发明专利]MEMS麦克风翘曲补偿方法和MEMS麦克风晶圆

说明书

本申请涉及一种MEMS麦克风翘曲补偿方法和MEMS麦克风晶圆；所述MEMS麦克风翘曲补偿方法包括：提供基体，基体的正面形成有正面膜层；对基体的背面进行研磨减薄以形成损伤层，研磨目数范围为200目‑3000目；对基体背面进行刻蚀以形成背腔，实现通过在基体的背面形成损伤层，通过损伤层向基体的背面施加反向表面应力，以抵消基体翘曲的翘曲应力，从而降低基体的翘曲度，有利于MEMS麦克风晶圆的后续工艺的实施。

技术领域

本申请涉及晶圆制造技术领域，特别是涉及一种MEMS麦克风翘曲补偿方法和MEMS麦克风晶圆。

背景技术

常规MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统)麦克风制作过程中会经过背面减薄工艺，将一定厚度(例如725微米)的晶圆进行减薄，然后再进行晶圆背腔的刻蚀。现有工艺条件下，常规MEMS麦克风晶圆研磨后的翘曲度在200-300微米，背腔刻蚀后的翘曲度在500-600微米，晶圆在500-600微米的翘曲度下，可以对MEMS麦克风进行后续工艺制程，但是对于特殊结构的MEMS麦克风，其正面膜层的压应力远远大于常规MEMS麦克风，其经过减薄工艺后，晶圆的翘曲度可达到600-700微米，背腔刻蚀后的翘曲度则会大于1200微米，在这么大的翘曲度下难于对特殊的MEMS麦克风进行后续工艺制成，因此，在实现过程中，发明人发现传统技术中至少存在如下问题：传统特殊结构的MEMS麦克风制造过程中造成的翘曲度过大，增加了特殊结构的MEMS麦克风的制造难度。

发明内容

基于此，有必要针对传统工艺造成的翘曲度过大，使得难于制造特殊结构的MEMS麦克风问题，提供一种MEMS麦克风翘曲补偿方法，包括以下步骤：

提供基体，基体的正面形成有正面膜层；

对基体的背面进行研磨减薄以形成损伤层，研磨目数范围为200目-3000目；

对基体背面进行刻蚀以形成背腔。

在其中一个实施例中，研磨目数范围为1000目-3000目。

在其中一个实施例中，损伤层的粗糙度小于60纳米。

在其中一个实施例中，对基体的背面进行研磨减薄以形成损伤层的步骤之后，还包括步骤：

在损伤层上，形成翘曲补偿膜层。

在其中一个实施例中，翘曲补偿膜层为二氧化硅或TiW合金。

在其中一个实施例中，对基体背面进行刻蚀以形成背腔的步骤之中：

采用Bosch工艺对基体的背面进行刻蚀以形成背腔。

在其中一个实施例中，基体的厚度范围为300微米至350微米。

在其中一个实施例中，正面膜层的厚度大于10微米。

一种利用上述方法制造的MEMS麦克风晶圆，包括：

基体，基体的背面包括损伤层，且开设有背腔；其中，损伤层的粗糙度小于60纳米；

正面膜层，正面膜层形成在基体的正面。

在其中一个实施例中，还包括：

翘曲补偿膜层，翘曲补偿膜层形成在基体的背面。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：

本申请晶各实施例提供的圆翘曲补偿方法通过以下步骤：提供基体，基体的正面形成有正面膜层；对基体的背面进行研磨减薄以形成损伤层，研磨目数范围为200目-3000目；对基体背面进行刻蚀以形成背腔，实现通过在基体的背面形成损伤层，通过损伤层向基体的背面施加反向表面应力，以抵消基体翘曲的翘曲应力，从而降低基体的翘曲度。

附图说明