[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201911203715.6 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112885799A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 范增焰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种半导体结构及其制作方法，半导体结构的制作方法包括：提供基底以及位于基底上的焊垫；在基底上形成绝缘介质层，绝缘介质层覆盖焊垫；图形化绝缘介质层，于绝缘介质层中形成第一窗口，第一窗口暴露出焊垫；在绝缘介质层上形成掩膜层，图形化掩膜层，在第一窗口中形成第二窗口，第二窗口暴露出焊垫；在第二窗口中形成第一导电层；在第一导电层上形成第二导电层；除去掩膜层，暴露出第一导电层的侧壁；对第二导电层进行回流处理，使得第二导电层同时覆盖第一导电层的顶部和侧壁。本发明采用回流处理工艺，一体形成位于第一导电层顶部和侧壁的第二导电层，消除连接缝隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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