[发明专利]半导体结构及其制作方法

说明书

本发明实施例涉及一种半导体结构及其制作方法，半导体结构的制作方法包括：提供基底以及位于基底上的焊垫；在基底上形成绝缘介质层，绝缘介质层覆盖焊垫；图形化绝缘介质层，于绝缘介质层中形成第一窗口，第一窗口暴露出焊垫；在绝缘介质层上形成掩膜层，图形化掩膜层，在第一窗口中形成第二窗口，第二窗口暴露出焊垫；在第二窗口中形成第一导电层；在第一导电层上形成第二导电层；除去掩膜层，暴露出第一导电层的侧壁；对第二导电层进行回流处理，使得第二导电层同时覆盖第一导电层的顶部和侧壁。本发明采用回流处理工艺，一体形成位于第一导电层顶部和侧壁的第二导电层，消除连接缝隙。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体结构及其制作方法。

背景技术

随着芯片制程的发展，柱状凸块(Pillar bump)技术逐渐成为主流技术，通过柱状凸块技术实现了芯片与基板的连接，现有的柱状凸块通常由导电柱和焊料帽组成。由于导电柱容易氧化的特性，对产品的性能产生了影响。尤其是随着芯片密度越来越高，芯片之间的间距不断减少，柱状凸块的尺寸也逐渐减小，如何实现柱状凸块表面的有效防护显得尤为重要。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，该制作方法实现了导电连接部和保护层的一体成型，消除了连接缝隙。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种半导体结构的制作方法，包括：提供基底以及位于所述基底上的焊垫；在所述基底上形成绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述焊垫；图形化所述绝缘介质层，于所述绝缘介质层中形成第一窗口，所述第一窗口暴露出所述焊垫；在所述绝缘介质层上形成掩膜层，图形化所述掩膜层，在所述第一窗口中形成第二窗口，所述第二窗口暴露出所述焊垫；在所述第二窗口中形成第一导电层；在所述第一导电层上形成第二导电层；除去所述掩膜层，暴露出所述第一导电层的侧壁；对所述第二导电层进行回流处理，使得所述第二导电层同时覆盖所述第一导电层的顶部和侧壁。

另外，在所述第二窗口中形成所述第一导电层后，在所述第一导电层上形成所述第二导电层之前，还包括对所述第一导电层进行回刻处理，使得所述第一导电层的顶表面低于所述掩膜层的顶表面。

另外，所述第二导电层还部分形成在所述掩膜层上，使得所述第一导电层在所述基底上的正投影位于所述第二导电层在所述基底上的正投影内。

另外，所述绝缘介质层包括第一绝缘介质层和第二绝缘介质层，所述第一绝缘介质层形成在所述基底表面且部分覆盖所述焊垫，所述第二绝缘介质层形成在所述第一绝缘介质层表面，且覆盖所述焊垫未被所述第一绝缘介质层覆盖的部分，所述第一窗口形成在所述焊垫上方的所述第二绝缘介质层中。

另外，采用电镀工艺形成所述第一导电层。

另外，采用所述电镀工艺形成所述第一导电层，包括：在所述第二窗口侧壁和暴露于所述第二窗口的所述焊垫表面形成电镀种子层；在所述电镀种子层上形成所述第一导电层。

另外，在所述第一导电层上形成所述第二导电层，包括：在所述第一导电层顶部形成初始第二导电层膜，且所述初始第二导电层还覆盖所述掩膜层顶部；对所述初始第二导电层进行图形化处理，形成所述第二导电层。

另外，在同一水平方向上，所述第二导电层的顶表面宽度不小于所述第二窗口的宽度。

另外，除去所述掩膜层，暴露出所述第一导电层的侧壁后，所述第一导电层的侧壁与所述绝缘介质层之间存在间隙，对所述第二导电层进行回流处理时，所述第二导电层同时填满所述间隙。