[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底以及位于所述基底上的焊垫；

在所述基底上形成绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述焊垫；

图形化所述绝缘介质层，于所述绝缘介质层中形成第一窗口，所述第一窗口暴露出所述焊垫；

在所述绝缘介质层上形成掩膜层，图形化所述掩膜层，在所述第一窗口中形成第二窗口，所述第二窗口暴露出所述焊垫；

在所述第二窗口中形成第一导电层；

在所述第一导电层上形成第二导电层；

除去所述掩膜层，暴露出所述第一导电层的侧壁；

对所述第二导电层进行回流处理，使得所述第二导电层同时覆盖所述第一导电层的顶部和侧壁。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述第二窗口中形成所述第一导电层后，在所述第一导电层上形成所述第二导电层之前，还包括：对所述第一导电层进行回刻处理，使得所述第一导电层的顶表面低于所述掩膜层的顶表面。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二导电层还部分形成在所述掩膜层上，使得所述第一导电层在所述基底上的正投影位于所述第二导电层在所述基底上的正投影内。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述绝缘介质层包括第一绝缘介质层和第二绝缘介质层，所述第一绝缘介质层形成在所述基底表面且部分覆盖所述焊垫，所述第二绝缘介质层形成在所述第一绝缘介质层表面，且覆盖所述焊垫未被所述第一绝缘介质层覆盖的部分，所述第一窗口形成在所述焊垫上方的所述第二绝缘介质层中。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，采用电镀工艺形成所述第一导电层。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，采用所述电镀工艺形成所述第一导电层，包括：

在所述第二窗口侧壁和暴露于所述第二窗口的所述焊垫表面形成电镀种子层；

在所述电镀种子层上形成所述第一导电层。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述第一导电层上形成所述第二导电层，包括：在所述第一导电层顶部形成初始第二导电层，且所述初始第二导电层还覆盖所述掩膜层顶部；对所述初始第二导电层进行图形化处理，形成所述第二导电层。

8.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在同一水平方向上，所述第二导电层的顶表面宽度不小于所述第二窗口的宽度。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，除去所述掩膜层，暴露出所述第一导电层的侧壁后，所述第一导电层侧壁与所述绝缘介质层之间存在间隙，对所述第二导电层进行回流处理时，所述第二导电层同时填满所述间隙。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底以及位于所述基底上的焊垫；

第一绝缘介质层，所述第一绝缘介质层覆盖所述焊垫且暴露部分所述焊垫；

第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层位于所述第一绝缘介质层表面且部分覆盖所述焊垫未被所述第一绝缘介质层覆盖的部分；

位于所述焊垫上的导电结构，所述导电结构包括第一导电层和位于所述第一导电层上的第二导电层，所述第二导电层同时覆盖所述第一导电层的顶部和侧壁，所述第一导电层侧壁的所述第二导电层与所述第二绝缘介质层直接接触或存在间隙。