[发明专利]半导体结构及其制备工艺、电子装置在审
| 申请号： | 201911198095.1 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112885814A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 庄凌艺 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/29;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 阚梓瑄;孙宝海 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提出一种半导体结构及其制备工艺、电子装置。半导体结构包括芯片、绝缘层以及电磁屏蔽罩。芯片具有相对设置的第一表面和第二表面以及侧面，第一表面为芯片的功能面。绝缘层设于第二表面并包覆于第二表面。电磁屏蔽罩包覆于绝缘层和芯片的侧面。通过上述设计，本公开相比于现有设计，能够在保持高质量的电磁屏蔽能力的同时，避免因半导体结构的封装体表面受外力或环境冲击而导致电磁屏蔽罩被破坏的问题。并且，本公开在实现芯片与电磁屏蔽罩之间的绝缘功能的同时，能够利用绝缘层的特性增强芯片与其他层叠结构之间的粘结牢固程度，进而提升结构强度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 工艺 电子 装置 | ||
【主权项】：
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