[发明专利]半导体结构及其制备工艺、电子装置

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

芯片，具有相对设置的第一表面和第二表面以及侧面，所述第一表面为所述芯片的功能面；

绝缘层，设于所述第二表面并包覆于所述第二表面；以及

电磁屏蔽罩，包覆于所述绝缘层和所述芯片的侧面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层设于所述第二表面和所述芯片的侧面并包覆于所述第二表面和所述芯片的侧面。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层被配置为由所述芯片自身包含的硅经氧化反应而形成，所述绝缘层的材质包含二氧化硅；或者，所述绝缘层被配置为由绝缘材料沉积于所述芯片的第二表面和侧面而形成。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

基板，具有相对设置的第三表面和第四表面，所述芯片以其第一表面固定于所述基板的第四表面；以及

底部填充层，设于所述基板与所述芯片之间，所述底部填充层包覆所述芯片的部分侧面和所述基板的第四表面的未被所述芯片遮盖的部分区域；

其中，所述电磁屏蔽罩还设于所述底部填充层的露出于所述基板与所述芯片之间的部分。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述电磁屏蔽罩还设于所述基板的第四表面的未被所述底部填充层覆盖的部分，所述第四表面的未被所述底部填充层覆盖的该部分无电路走线而形成无讯号电路区。

6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

多个凸点，设于所述芯片的第一表面上，并被配置为使所述芯片通过所述凸点电连接于所述基板；

其中，所述底部填充层还填充于所述基板与所述芯片之间的未设置所述凸点的空间中。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

基板，具有相对设置的第三表面和第四表面，所述芯片以其第一表面固定于所述基板的第四表面；以及

塑封层，包覆于所述芯片的第二表面和侧面以及所述基板的第四表面的未被所述芯片覆盖的部分，所述塑封层位于所述电磁屏蔽罩的相对所述芯片的外侧。

8.一种半导体结构的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

提供一晶圆；

切割所述晶圆形成多个芯片，所述晶圆的正面和背面分别形成所述芯片的相对设置的第一表面和第二表面，且所述芯片具有位于第一表面和第二表面之间的侧面，所述第一表面为所述芯片的功能面；

将所述芯片置入高温通氧环境中，使所述芯片的第二表面和侧面由自身的硅经氧化反应形成二氧化硅绝缘层；

将所述芯片固定于基板；以及

封装所述芯片和所述基板。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备工艺，其特征在于，还包括以下步骤：

将所述芯片固定于所述基板之后，在所述基板与所述芯片之间填充填料，形成底部填充层，所述底部填充层包覆所述芯片的部分侧面和所述基板的未被所述芯片遮盖的部分区域。

10.根据权利要求8所述的半导体结构的制备工艺，其特征在于，还包括以下步骤：

在封装之前，在所述芯片的第二表面和侧面沉积金属材料形成电磁屏蔽罩。

11.根据权利要求8所述的半导体结构的制备工艺，其特征在于，还包括以下步骤：

将晶圆以其正面朝下放置于晶圆载板；

其中，切割所述晶圆时，是将放置在所述晶圆载板上的晶圆进行切割而形成多个所述芯片，所述芯片以其第一表面朝下放置于所述晶圆载板；和/或，形成绝缘层时，是将放置在所述晶圆载板上的芯片置入高温通氧环境中。

12.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求1～7任一项所述的半导体结构。