[发明专利]一种SiC功率器件的封装结构有效
| 申请号： | 201911185694.X | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110707057B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 何智鹏;李巍巍;李岩;韦甜柳;喻松涛 | 申请（专利权）人： | 南方电网科学研究院有限责任公司;中国南方电网有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 郭帅 |
| 地址： | 510663 广东省广州市萝岗区科*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种SiC功率器件的封装结构，包括SiC芯片、导电层、陶瓷基板和散热器；SiC芯片的两面对称设有导电层、陶瓷基板和散热器，导电层、陶瓷基板和散热器沿远离SiC芯片的方向依次排列；陶瓷基板包括中间基板和金属覆层，中间基板的两面均覆设有金属覆层；中间基板上设有通孔，通孔的两端均设有石墨烯垫片，石墨烯垫片与金属覆层连接。本申请通过在SiC芯片的两面均设置有陶瓷基板和散热器，同时在陶瓷基板的中间基板设置有通孔并且通孔两端设有石墨烯垫片，可以增加中间基板与金属覆层之间的散热路径，以进一步提高封装结构的散热效率，保证SiC芯片能够正常工作，有效地解决了现有技术存在散热效率低的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 功率 器件 封装 结构 | ||
【主权项】：
1.一种SiC功率器件的封装结构，其特征在于，包括SiC芯片、导电层、陶瓷基板和散热器；/n所述SiC芯片的两面对称设有所述导电层、所述陶瓷基板和所述散热器，所述导电层、所述陶瓷基板和所述散热器沿远离所述SiC芯片的方向依次排列；/n所述陶瓷基板包括中间基板和金属覆层，所述中间基板的两面均覆设有所述金属覆层；/n所述中间基板上设有通孔，所述通孔的两端均设有石墨烯垫片，所述石墨烯垫片与所述金属覆层连接。/n
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