[发明专利]一种SiC功率器件的封装结构有效
| 申请号： | 201911185694.X | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110707057B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 何智鹏;李巍巍;李岩;韦甜柳;喻松涛 | 申请（专利权）人： | 南方电网科学研究院有限责任公司;中国南方电网有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 郭帅 |
| 地址： | 510663 广东省广州市萝岗区科*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 功率 器件 封装 结构 | ||
1.一种SiC功率器件的封装结构，其特征在于，包括SiC芯片、导电层、缓冲层、陶瓷基板和散热器；
所述SiC芯片的两面对称设有所述导电层、所述陶瓷基板和所述散热器，所述导电层、所述陶瓷基板和所述散热器沿远离所述SiC芯片的方向依次排列；
所述陶瓷基板包括中间基板和金属覆层，所述中间基板的两面均覆设有所述金属覆层；
所述中间基板上设有通孔，所述通孔的两端均设有石墨烯垫片，所述石墨烯垫片与所述金属覆层连接；
同一所述通孔内的两个所述石墨烯垫片相隔一段距离；
所述缓冲层为两个，两个所述缓冲层分别设置于SiC芯片的两面；
所述导电层通过所述缓冲层与所述陶瓷基板连接。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括纳米银层或纳米银铜层，所述缓冲层通过所述纳米银层或纳米银铜层与所述陶瓷基板连接。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括石墨烯薄膜，所述缓冲层通过所述石墨烯薄膜与所述导电层连接。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的封装结构，其特征在于，所述缓冲层具体为钼垫片或钼银复合垫片。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述导电层具体为纳米银材料或纳米银铜材料。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属覆层具体为覆铜层或覆铝层。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述SiC芯片同一面上的所述陶瓷基板的数量为两个，两个所述陶瓷基板叠合连接。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述散热器设有散热翅片。
9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述散热翅片插设于冷却液中。
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