[发明专利]光刻校正方法有效
| 申请号： | 201911179951.9 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112859525B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 刘京 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种光刻校正方法，包括：提供一待光刻晶圆，待光刻晶圆内具有浅沟槽隔离；获取待光刻晶圆内的浅沟槽隔离的实际深度；将浅沟槽隔离的实际深度与目标深度进行比对以得到深度偏差量；根据深度偏差量对光刻参数进行补偿，以对光刻进行校正。上述光刻校正方法能避免浅沟槽隔离深度偏差对光刻精度造成影响，使得光刻出来的图形结构更精准，减少返工次数，提高生产效率，节约生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 校正 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911179951.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
