[发明专利]光刻校正方法

权利要求书

1.一种光刻校正方法，其特征在于，包括：

提供一待光刻晶圆，所述待光刻晶圆内具有浅沟槽隔离；

获取所述待光刻晶圆内的所述浅沟槽隔离的实际深度；

将所述浅沟槽隔离的实际深度与目标深度进行比对以得到深度偏差量；

根据所述深度偏差量对光刻参数进行补偿，以对光刻进行校正。

2.根据权利要求1所述的光刻校正方法，其特征在于，根据所述深度偏差量确定所述光刻参数补偿量，包括：

提供一目标样本晶圆和若干个样本晶圆集合，所述目标样本晶圆内具有样本目标深度的浅沟槽隔离，每一个所述样本晶圆集合包括若干个具有相同样本实际深度的浅沟槽隔离的样本晶圆；

获取各所述样本晶圆集合内所述样本晶圆中的所述浅沟槽隔离的样本实际深度，将若干个所述样本实际深度与所述样本目标深度进行比对以得到若干个样本深度偏差量；

以样本实际光刻参数对所述目标样本晶圆进行光刻，以形成目标图形结构；

获取所述目标图形结构的样本目标特征尺寸；

任意选取1个所述样本晶圆集合，以不同的光刻参数对所述样本晶圆集合内的各所述样本晶圆进行光刻，以形成图形结构，获取所述图形结构的样本实际特征尺寸，选取与所述样本目标特征尺寸最接近的所述样本实际特征尺寸，以所述与所述样本目标特征尺寸最接近的所述样本实际特征尺寸对应的光刻参数作为样本目标光刻参数，将所述样本目标光刻参数与所述样本实际光刻参数进行比对以得到样本光刻参数补偿量；

重复上一步骤若干次，以得到若干个所述样本光刻参数补偿量及其对应的所述样本深度偏差量，基于得到的若干个所述样本光刻参数补偿量及其对应的所述样本深度偏差量确定所述光刻参数补偿量与所述深度偏差量之间的关系，然后根据所述深度偏差量确定所述光刻参数补偿量。

3.根据权利要求2所述的光刻校正方法，其特征在于，基于得到的若干个所述样本光刻参数补偿量及其对应的所述样本深度偏差量确定所述光刻参数补偿量与所述深度偏差量之间的关系式。

4.根据权利要求3所述的光刻校正方法，其特征在于，确定所述光刻参数补偿量与所述深度偏差量之间的关系式包括：预设一函数关系式，所述函数关系式包括常数变量，将得到的若干个所述样本光刻参数补偿量及其对应的所述样本深度偏差量带入所述函数关系式，来确定所述常数变量，以确定所述光刻参数补偿量与所述深度偏差量之间的关系式。

5.根据权利要求1所述的光刻校正方法，其特征在于，所述目标深度确定方法包括：

提供若干个样本晶圆，所述样本晶圆内具有浅沟槽隔离；

获取各所述样本晶圆中的所述浅沟槽隔离的样本实际深度；

以相同条件对若干个所述样本晶圆进行光刻，以形成图形结构；

获取各所述图形结构的样本实际特征尺寸；

选取与样本目标特征尺寸最接近的样本实际特征尺寸，以所述与样本目标特征尺寸最接近的样本实际特征尺寸对应的样本实际深度作为所述目标深度。

6.根据权利要求1所述的光刻校正方法，其特征在于，所述目标深度介于200nm～600nm之间。

7.根据权利要求1所述的光刻校正方法，其特征在于，当所述深度偏差量大于等于10％时，根据所述深度偏差量对光刻参数进行补偿。

8.根据权利要求1所述的光刻校正方法，其特征在于，当所述深度偏差量大于0时，根据所述深度偏差量对光刻参数进行补偿。

9.根据权利要求1所述的光刻校正方法，其特征在于，所述光刻参数包括曝光能量、曝光时间、焦距中的一种或几种。