[发明专利]光刻校正方法

说明书

本发明涉及一种光刻校正方法，包括：提供一待光刻晶圆，待光刻晶圆内具有浅沟槽隔离；获取待光刻晶圆内的浅沟槽隔离的实际深度；将浅沟槽隔离的实际深度与目标深度进行比对以得到深度偏差量；根据深度偏差量对光刻参数进行补偿，以对光刻进行校正。上述光刻校正方法能避免浅沟槽隔离深度偏差对光刻精度造成影响，使得光刻出来的图形结构更精准，减少返工次数，提高生产效率，节约生产成本。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种光刻校正方法。

背景技术

集成电路(integrated circuit，IC)，或称微电路(microcircuit)、微芯片(microchip)、晶片/芯片(chip)，在电子学中是一种把电路(主要包括半导体器件，也包括被动组件等)小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。在集成电路制备过程中常用到光刻工艺，光刻是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂(又名光刻胶)将掩膜版上的图形转移到晶圆上的技术。一般的光刻工艺要经历晶圆表面清洗烘干、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。但是，光刻出来的图形结构的实际特征尺寸相对于目标特征尺寸总是出现偏差，目前还没有人发现出现该偏差的原因。因此，亟需一种能够控制光刻工艺偏差的技术。

发明内容

基于此，针对上述问题，本发明提供一种光刻校正方法。

本发明提供一种光刻校正方法，包括：提供一待光刻晶圆，所述待光刻晶圆内具有浅沟槽隔离；获取所述待光刻晶圆内的所述浅沟槽隔离的实际深度；将所述浅沟槽隔离的实际深度与目标深度进行比对以得到深度偏差量；根据所述深度偏差量对光刻参数进行补偿，以对光刻进行校正。

上述光刻校正方法能避免浅沟槽隔离深度偏差对光刻精度造成影响，使得光刻出来的图形结构更精准，减少返工次数，提高生产效率，节约生产成本。

在其中一个实施例中，根据所述深度偏差量确定所述光刻参数补偿量，包括：提供一目标样本晶圆和若干个样本晶圆集合，所述目标样本晶圆内具有样本目标深度的浅沟槽隔离，每一个所述样本晶圆集合包括若干个具有相同样本实际深度的浅沟槽隔离的样本晶圆；获取各所述样本晶圆集合内所述样本晶圆中的所述浅沟槽隔离的样本实际深度，将若干个所述样本实际深度与所述样本目标深度进行比对以得到若干个样本深度偏差量；以样本实际光刻参数对所述目标样本晶圆进行光刻，以形成目标图形结构；获取所述目标图形结构的样本目标特征尺寸；任意选取1个所述样本晶圆集合，以不同的光刻参数对所述样本晶圆集合内的各所述样本晶圆进行光刻，以形成图形结构，获取所述图形结构的样本实际特征尺寸，选取与所述样本目标特征尺寸最接近的所述样本实际特征尺寸，以所述与所述样本目标特征尺寸最接近的所述样本实际特征尺寸对应的光刻参数作为样本目标光刻参数，将所述样本目标光刻参数与所述样本实际光刻参数进行比对以得到样本光刻参数补偿量；重复上一步骤若干次，以得到若干个所述样本光刻参数补偿量及其对应的所述样本深度偏差量，基于得到的若干个所述样本光刻参数补偿量及其对应的所述样本深度偏差量确定所述光刻参数补偿量与所述深度偏差量之间的关系，然后根据所述深度偏差量确定所述光刻参数补偿量。

在其中一个实施例中，基于得到的若干个所述样本光刻参数补偿量及其对应的所述样本深度偏差量确定所述光刻参数补偿量与所述深度偏差量之间的关系式。

在其中一个实施例中，确定所述光刻参数补偿量与所述深度偏差量之间的关系式包括：预设一函数关系式，所述函数关系式包括常数变量，将得到的若干个所述样本光刻参数补偿量及其对应的所述样本深度偏差量带入所述函数关系式，来确定所述常数变量，以确定所述光刻参数补偿量与所述深度偏差量之间的关系式。

在其中一个实施例中，所述目标深度确定方法包括：提供若干个样本晶圆，所述样本晶圆内具有浅沟槽隔离；获取各所述样本晶圆中的所述浅沟槽隔离的样本实际深度；以相同条件对若干个所述样本晶圆进行光刻，以形成图形结构；获取各所述图形结构的样本实际特征尺寸；选取与样本目标特征尺寸最接近的样本实际特征尺寸，以所述与样本目标特征尺寸最接近的样本实际特征尺寸对应的样本实际深度作为所述目标深度。