[发明专利]存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201911175277.7 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112951761B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 陈洋 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种存储器及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上具有位线结构；在位线结构侧壁形成第一介质层；形成填充满相邻第一介质层之间的间隙的绝缘膜，绝缘膜覆盖第一介质层顶部以及位线结构顶部，且绝缘膜顶面包括凹陷顶面以及凸起顶面，凹陷顶面朝向靠近基底方向凹陷，凸起顶面朝向远离基底方向凸起，且凹陷顶面的位置与相邻第一介质层之间的间隙的位置相对，凸起顶面的位置与位线结构的位置相对；刻蚀绝缘膜，去除部分基底上的绝缘膜，形成覆盖第一介质层侧壁的绝缘层；在绝缘层侧壁形成第二介质层，且绝缘层位于第二介质层与第一介质层之间。本发明中实施例有利于改善形成的存储器的性能，且制作流程简单、成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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