[发明专利]存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有位线结构；

在所述位线结构侧壁形成第一介质层；

形成填充满相邻所述第一介质层之间的间隙的绝缘膜，所述绝缘膜覆盖所述第一介质层顶部以及所述位线结构顶部，且所述绝缘膜顶面包括凹陷顶面以及凸起顶面，所述凹陷顶面朝向靠近所述基底方向凹陷，所述凸起顶面朝向远离所述基底方向凸起，且所述凹陷顶面的位置与相邻所述第一介质层之间的间隙的位置相对，所述凸起顶面的位置与所述位线结构的位置相对；

采用第一刻蚀工艺，刻蚀所述绝缘膜的凸起顶面，暴露出所述第一介质层和所述位线结构的顶部表面，同时刻蚀所述绝缘膜的凹陷顶面形成沟槽，所述沟槽位于相邻所述第一介质层之间的间隙内；

采用第二刻蚀工艺，刻蚀所述沟槽露出的所述绝缘膜，形成绝缘层， 所述绝缘层覆盖所述第一介质层侧壁；

在所述绝缘层侧壁形成第二介质层，且所述绝缘层位于所述第二介质层与所述第一介质层之间。

2.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺包括射频容性耦合等离子体刻蚀工艺。

3.根据权利要求2所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述射频容性耦合等离子体刻蚀工艺的工艺参数包括：

采用的所述射频容性耦合等离子体刻蚀工艺的材料包括氧气、全氟丁二烯、四氟化碳或氩气中的至少一种；

采用的所述射频容性耦合等离子体刻蚀工艺的功率为1000W~1500W；

采用的所述射频容性耦合等离子体刻蚀工艺的压力为10 mT ~30mT。

4.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺包括射频感性耦合等离子体刻蚀工艺。

5.根据权利要求4所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述射频感性耦合等离子体刻蚀工艺的工艺参数包括：

采用的所述射频感性耦合等离子体刻蚀工艺的材料包括氧气、全氟丁二烯、或氦气中的至少一种；

采用的所述射频感性耦合等离子体刻蚀工艺的功率为800W~1300W，偏置功率为100W~250W；

采用的所述射频感性耦合等离子体刻蚀工艺的压力为5 mT ~15mT。

6.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料和所述第二介质层的材料相同；所述绝缘层的材料与所述第一介质层的材料不同。

7.根据权利要求6所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料为含氮材料；所述第二介质层的材料为含氮材料；所述绝缘层的材料为含氧材料。

8.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，采用原子层淀积的方式形成所述绝缘膜。

9.一种存储器，其特征在于，基于权利要求1~8任一项所述的存储器的形成方法形成，包括：

基底，所述基底上具有位线结构；

第一介质层，位于所述位线结构的侧壁；

绝缘层，位于所述第一介质层的侧壁；

第二介质层，位于所述绝缘层的侧壁，且所述绝缘层位于所述第二介质层与所述第一介质层之间。

10.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述第一介质层的材料为含氮材料；所述第二介质层的材料为含氮材料；所述绝缘层的材料为含氧材料。

11.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述绝缘层的厚度范围为3nm~6nm。