[发明专利]场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201911166151.3 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN111029407B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 李争刚;袁刚;彭楠;杨帅 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了一种场效应晶体管及其制造方法。场效应晶体管包括：半导体衬底；沿所述半导体衬底表面第一方向延伸的鳍部；分别位于所述鳍部两侧的半导体表面的源区和漏区；位于所述鳍部上方的沿所述半导体衬底表面第二方向延伸的栅叠层，其中，所述鳍部的侧壁具有凹凸图案，所述凹凸图案与所述栅叠层接触。该场效应晶体管的鳍部的侧壁具有凹凸图案，包括截面形状为圆形的纳米线，使得在相同体积时，本申请的晶体管鳍部与所述栅叠层的接触面积更大，可以形成更大的饱和电流，在相同饱和电流时，本申请的晶体管体积更小，有利于减小芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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