[发明专利]场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管，包括：

半导体衬底；

沿所述半导体衬底表面第一方向延伸的鳍部；

分别位于所述鳍部两侧的半导体表面的源区和漏区；

位于所述鳍部上方的沿所述半导体衬底表面第二方向延伸的栅叠层，

其中，所述鳍部的侧壁具有凹凸图案，所述凹凸图案与所述栅叠层接触。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述鳍部包括垂直方向上堆叠的多个纳米线，相邻堆叠的两个所述纳米线形成弧面接触。

3.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其中，所述纳米线的截面形状包括圆形。

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述鳍部包括垂直方向上堆叠的多个纳米线，相邻堆叠的两个所述纳米线形成平面接触。

5.根据权利要求4所述的场效应晶体管，其中，所述鳍部的截面形状包括多个圆形重叠相交形成的形状。

6.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述栅叠层包括栅极介质层和栅极导体，所述栅极介质层用于隔开所述栅极导体和所述鳍部。

7.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述栅极介质层材料为高K电介质氧化物。

8.一种场效应晶体管的制造方法，包括：

在半导体衬底上沿所述半导体衬底表面第一方向形成鳍部；

形成覆盖所述鳍部表面的栅极介质层；

在所述栅极介质层上沿所述半导体衬底表面第二方向形成栅极导体；

在所述鳍部两侧的所述半导体表面形成源区和漏区，

其中，所述鳍部的侧壁具有凹凸图案，所述凹凸图案与所述栅叠层接触。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，所述鳍部包括垂直方向上堆叠的多个纳米线，相邻堆叠的两个所述纳米线形成弧面接触。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其中，所述纳米线的截面形状包括圆形。

11.根据权利要求8所述的制造方法，其中，所述鳍部包括垂直方向上堆叠的多个纳米线，相邻堆叠的两个所述纳米线形成平面接触。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，所述鳍部的截面形状包括多个圆形重叠相交形成的形状。

13.根据权利要求8所述的制造方法，其中，所述鳍部的形成方法包括：

在所述半导体衬底上沿第一方向形成第一纳米线；

在所述半导体衬底上沉积第一氧化物层，覆盖所述第一纳米线；

在所述第一氧化物层上沿所述第一方向形成第二纳米线；

在所述第一氧化物层上沉积第二氧化物层，覆盖所述第二纳米线；

在所述第二氧化物层上沿所述第一方向形成第三纳米线；

在所述第二氧化物层上沉积第三氧化物层，覆盖所述第三纳米线，

所述第一纳米线、第二纳米线和第三纳米线的截面形状和大小相同，采用等离子体化学气相沉积工艺形成所述纳米线。

14.根据权利要求8所述的制造方法，其中，所述栅极介质层材料为高K电介质氧化物。