[发明专利]一种半导体结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该方法形成沿X方向依次划分为第一连接区、存储区及第二连接区的叠层结构于衬底上，然后通过刻蚀使第二连接区的顶面比第一连接区的顶面低至少一个层级，再同步刻蚀叠层结构位于所述第一、第二连接区的部分，形成第一、第二阶梯结构，各级台阶的台面分别暴露出不同的牺牲层或不同的介质层。本发明在存储区两侧形成阶梯结构前，预先使存储区两侧的连接区错开至少一个层级，使最终存储区两侧的阶梯结构的各级台阶的台面分别暴露出不同的层级，从而将存储区一侧原本作为虚拟区域的空间利用起来，不仅可以提升单元面积利用率，还可以实现连接区分区翻倍以降低台阶制造难度，此外，还可以减少使用的掩模版数量。