[发明专利]沟槽型MOSFET结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201911156668.4 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN110896026A | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 王加坤;吴兵 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种制造沟槽MOSFET的方法。包括：在半导体基底中形成从上表面延伸至其内部的沟槽；形成覆盖所述沟槽的侧壁、所述沟槽的底部以及所述半导体基底的上表面的第一绝缘层；在所述沟槽中形成覆盖所述沟槽的底部和下部侧壁的屏蔽导体，所述第一绝缘层将所述屏蔽导体与所述半导体基底隔开；形成覆盖所述屏蔽导体顶部的第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层共形形成介质层；去除位于所述半导体基底的上表面的介质层和位于所述沟槽上部侧壁的介质层，使得保留的所述介质层的上表面高于所述屏蔽导体的上表面。本发明简化现有技术中形成沟槽MOSFET的工艺步骤，从而降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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