[发明专利]一种采用负反馈箝位技术的带隙基准电路有效
| 申请号： | 201911155869.2 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN110794913B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 周前能;关晶晶;李红娟 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | G05F1/575 | 分类号： | G05F1/575 |
| 代理公司： | 重庆市恒信知识产权代理有限公司 50102 | 代理人： | 刘小红;陈栋梁 |
| 地址： | 400065 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本发明请求保护一种采用负反馈箝位技术的带隙基准电路，属于微电子技术领域。包括带隙基准电流源偏置电路以及带隙基准核心电路等。本发明采用共源共栅结构为带隙基准核心电路提供偏置电流信号来提高带隙基准的电源抑制比，带隙基准核心电路采用负反馈箝位技术取代传统运算放大器箝位技术来产生正温度系数电流I |
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| 搜索关键词： | 一种 采用 负反馈 箝位 技术 基准 电路 | ||
【主权项】：
1.一种采用负反馈箝位技术的带隙基准电路，其特征在于，包括：带隙基准电流源偏置电路(1)及带隙基准核心电路(2)，其中所述带隙基准电流源偏置电路(1)的信号输出端与所述带隙基准核心电路(2)的信号输入端相连接；所述带隙基准电流源偏置电路(1)为所述带隙基准核心电路(2)提供偏置电流信号，所述带隙基准核心电路(2)通过采用由NPN型三极管Q3、NPN型三极管Q4、电阻R3、NMOS管M9、电阻R4以及电阻R2a组成负反馈电路结构实现的箝位技术，取代运算放大器箝位技术产生高性能带隙基准参考电压。/n
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