[发明专利]LDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911148164.8 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN112825332A | 公开（公告）日： | 2021-05-21 |
| 发明（设计）人： | 曾大杰 | 申请（专利权）人： | 南通尚阳通集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS器件，包括：横向接触的沟道区和漂移区，源区形成在沟道区的表面且和栅极结构的第一侧面自对准。漂移区直接通过漂移区引出区和第二接触孔连接到由正面金属层组成的漏极，从而形成无漏区结构，无漏区结构使漂移区的长度直接由漂移区的第一侧面和第二接触孔的间距确定。本发明还公开了一种LDMOS器件的制造方法。本发明能减少漂移区的长度，从而能降低器件的输出电容并降低器件在开关过程中的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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