[发明专利]LDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件，其特征在于，LDMOS器件包括：

形成于半导体衬底上的第二导电类型掺杂的沟道区和第一导电类型掺杂的漂移区，所述漂移区的第一侧面和所述沟道区横向接触；

栅极结构覆盖在所述沟道区表面并延伸到所述漂移区上；被所述栅极结构覆盖的所述沟道区的表面用于形成沟道；

所述栅极结构包括依次叠加的栅介质层和栅极导电材料层；

第一导电类型重掺杂的源区形成在所述沟道区的表面且和所述栅极结构的第一侧面自对准；

所述源区的顶部通过第一接触孔连接到由正面金属层组成的源极；

第二接触孔形成在所述漂移区的顶部，所述第二接触孔在横向上和所述栅极结构的第二侧相隔一段距离；

在所述第二接触孔的底部自对准形成有通过第一导电类型重掺杂离子注入形成的漂移区引出区，所述漂移区引出区和所述第二接触孔形成欧姆接触，所述漂移区直接通过所述漂移区引出区和所述第二接触孔连接到由正面金属层组成的漏极，从而形成无漏区结构，所述无漏区结构使所述漂移区的长度直接由所述漂移区的第一侧面和所述第二接触孔的间距确定，从而消除漏区对所述漂移区的长度的影响，使所述漂移区的长度降低并从而降低器件的输出电容；

所述沟道的长度方向为所述源区到所述漂移区的方向；所述沟道的宽度方向为和所述沟道的长度方向垂直的方向；

在沿所述沟道的宽度方向上，所述栅极结构、所述源区、所述沟道区和所述漂移区都连续延伸，所述第一接触孔包括一个以上且选择性设置在所述源区中，所述第二接触孔包括一个以上且选择性设置在所述漂移区中。

2.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：在所述沟道区的表面还形成有通过第二导电类型重掺杂离子注入形成的沟道区引出区，所述沟道区引出区的顶部通过对应的第一接触孔连接所述源极。

3.如权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于：所述漂移区引出区的第一导电类型重掺杂离子注入杂质也注入到对应的所述第一接触孔的底部，所述漂移区引出区的第一导电类型重掺杂离子注入的注入剂量小于所述沟道区引出区的第二导电类型重掺杂离子注入的注入剂量且使所述沟道区引出区的表面依然保持第二导电类型重掺杂并能使所述沟道区引出区和顶部对应的所述第一接触孔能形成欧姆接触。

4.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：在所述漂移区中还形成有第一注入区，所述第一注入区为第一导电类型轻掺杂，所述第一注入区叠加在靠近所述第二接触孔一侧的所述漂移区中且所述第一注入区的结深大于等于所述漂移区的结深，所述第二接触孔位于所述第一注入区的顶部，在从所述第二接触孔向所述漂移区的第一侧面的方向上，所述第一注入区和所述漂移区的叠加区域具有掺杂浓度逐渐降低的浓度梯度结构。

5.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：在所述漂移区的顶部形成有一层以上的场板，所述场板连接到所述源极；所述场板为金属场板或多晶硅场板。

6.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：在靠近所述漂移区的第一侧面的所述漂移区中形成有场氧，所述栅极结构还延伸到所述场氧上方。

7.如权利要求1至6中任一权项所述的LDMOS器件，其特征在于：所述LDMOS器件为N型器件，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型，所述漂移区引出区的第一导电类型重掺杂离子注入的注入杂质为磷或砷，注入能量为30keV～100keV，注入剂量为1e15cm^-2～2e15cm^-2；或者，所述LDMOS器件为N型器件，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型，所述漂移区引出区的第一导电类型重掺杂离子注入的注入杂质包括硼，注入能量为30keV～100keV，注入剂量为1e15cm^-2～2e15cm^-2。