[发明专利]太阳能电池的测试方法有效
| 申请号： | 201911147740.7 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN112825302B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 安欣睿;陈海燕;李硕;张临安;邓伟伟 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/389 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 胡彭年 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本申请提供一种太阳能电池的测试方法，包括制备测试样品，所述测试样品包括硅衬底、位于硅衬底一侧表面的隧穿层、设置在所述隧穿层背离硅衬底一侧的掺杂多晶硅层、设置在所述掺杂多晶硅层上的若干金属电极；根据测试样品的结构，确定相邻金属电极之间的电阻R的算式，测试获取N组不同相邻金属电极之间的电阻R；再建立方程组，计算得到所述隧穿层的隧穿电阻R2与隧穿电阻率ρ1、所述掺杂多晶硅层的薄层电阻R3与方阻R |
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| 搜索关键词： | 太阳能电池 测试 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
