[发明专利]太阳能电池的测试方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的测试方法，其特征在于：

制备测试样品，所述测试样品包括硅衬底、位于硅衬底一侧表面的隧穿层、设置在所述隧穿层背离硅衬底一侧的掺杂多晶硅层、设置在所述掺杂多晶硅层上的若干金属电极，所述金属电极的长度设置为W，宽度为L，若干所述金属电极平行设置且相邻所述金属电极的间距设置为d；

根据测试样品的结构，确定相邻金属电极之间的电阻R的算式如下：

其中，R1为所述硅衬底的体电阻，R2为所述隧穿层的隧穿电阻；R3为所述掺杂多晶硅层的薄层电阻，R4为金属电极的接触电阻；

测试获取N组不同相邻金属电极之间的电阻R，N≥3；

建立方程组，计算得到隧穿电阻R2、薄层电阻R3、接触电阻R4，所述隧穿层的隧穿电阻率ρ1为R2*L*W，所述掺杂多晶硅层的方阻R_□为R3/d，所述金属电极的接触电阻率ρ2为R4*L*W。

2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于：

将所述隧穿电阻率ρ1、方阻R_□、接触电阻率ρ2代入电阻R的算式，计算得到不同间距d所对应的电阻R值，拟合绘制相邻金属电极的电阻R与间距d的关系曲线；

测试得到间距为d₀的相邻金属电极的电阻R₀，将电阻R₀与所述关系曲线中间距d₀所对应的电阻R值相比对，并根据比对结果对所述隧穿电阻率ρ1、方阻R_□、接触电阻率ρ2进行修正。

3.根据权利要求2所述的测试方法，其特征在于：根据所述关系曲线的延长线在横向坐标轴上的截距得到迁移长度L_T，当所述金属电极宽度L小于迁移长度L_T时，所述隧穿层的隧穿电阻率ρ1为R2*L*W，所述金属电极的接触电阻率ρ2为R4*L*W；

当所述金属电极宽度L大于等于迁移长度L_T时，所述隧穿电阻率ρ1为R2*L_T*W，所述接触电阻率ρ2为R4*L_T*W。

4.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于：所述“测试获取N组不同相邻金属电极之间的电阻R”步骤中，选取至少两组间距小于0.2cm的相邻金属电极进行测试，得到相应的电阻R值。

5.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于：所述测试样品中任意两个相邻所述金属电极的间距各不相同。

6.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于：所述测试样品中部分相邻所述金属电极的间距相同；

所述“测试获取N组不同相邻金属电极之间的电阻R”过程，包括测试获取至少两组间距相同的相邻金属电极的电阻R，再取均值得到相应的间距所对应的电阻R'。

7.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于：所述测试样品的两侧表面均层叠设置有所述隧穿层与掺杂多晶硅层，相邻所述金属电极之间的电阻R的算式变换为：

8.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于：测试获取N组不同相邻金属电极之间的电阻R，N≥4；再计算得到体电阻R1、隧穿电阻R2、薄层电阻R3、接触电阻R4。

9.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于：获取硅衬底的体电阻率ρ，计算得到所述体电阻R1。

10.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于：所述“制备测试样品”还包括在所述掺杂多晶硅层背离所述隧穿层的一侧绝缘介质膜，所述金属电极穿过所述绝缘介质膜并与所述掺杂多晶硅层相接触。