[发明专利]太阳能电池的测试方法

说明书

本申请提供一种太阳能电池的测试方法，包括制备测试样品，所述测试样品包括硅衬底、位于硅衬底一侧表面的隧穿层、设置在所述隧穿层背离硅衬底一侧的掺杂多晶硅层、设置在所述掺杂多晶硅层上的若干金属电极；根据测试样品的结构，确定相邻金属电极之间的电阻R的算式，测试获取N组不同相邻金属电极之间的电阻R；再建立方程组，计算得到所述隧穿层的隧穿电阻R2与隧穿电阻率ρ1、所述掺杂多晶硅层的薄层电阻R3与方阻R_□、所述金属电极的接触电阻R4与接触电阻率ρ2。所述测试方法能够测试得到掺杂多晶硅层的方阻、隧穿层的隧穿电阻率与金属电极的接触电阻率，更有效的评估太阳能电池的各膜层与金属电极的性能，利于调整优化相应的工艺制程。

技术领域

本申请涉及太阳能发电技术领域，特别涉及一种太阳能电池的测试方法。

背景技术

TLM(Transmission Line Method)是一种用于半导体薄层电阻和接触电阻率表征的的测试方法，因其简单的操作和相对准确的测试结果而广泛应用于光伏行业。该方法常被用于表征太阳能电池的发射极薄层电阻以及正面金属电极的接触电阻率，发射极薄层电阻的监测是扩散制程优化的重要依据；接触电阻率则是评判金属电极与硅衬底欧姆接触质量的重要手段，接触电阻率越小，对应的太阳能电池的性能往往越好。

近年来，随着太阳能电池结构的不断发展，部分高效电池设置有多个相互层叠的导电膜层，现有的测试方法针对该类高效电池的测试准确性有所下降，也难以评估不同膜层的电学性能。

鉴于此，有必要提供一种新的太阳能电池的测试方法。

发明内容

本申请目的在于提供一种太阳能电池的测试方法，能够更好地评测太阳能电池的性能，有助于现场的工艺管控与优化。

为实现上述目的，本申请实施例提供一种太阳能电池的测试方法，主要包括：

制备测试样品，所述测试样品包括硅衬底、位于硅衬底一侧表面的隧穿层、设置在所述隧穿层背离硅衬底一侧的掺杂多晶硅层、设置在所述掺杂多晶硅层上的若干金属电极，所述金属电极的长度设置为W，宽度为L，若干所述金属电极平行设置且相邻所述金属电极的间距设置为d；

根据测试样品的结构，确定相邻金属电极之间的电阻R的算式如下：

其中，R1为所述硅衬底的体电阻，R2为所述隧穿层的隧穿电阻；R3为所述掺杂多晶硅层的薄层电阻，R4为金属电极的接触电阻；

测试获取N组不同相邻金属电极之间的电阻R，N≥3；

建立方程组，计算得到隧穿电阻R2、薄层电阻R3、接触电阻R4，所述隧穿层的隧穿电阻率ρ1为R2*L*W，所述掺杂多晶硅层的方阻R_□为R3/d，所述金属电极的接触电阻率ρ2为R4*L*W。

作为本申请实施例的进一步改进，所述测试方法还包括：

将所述隧穿电阻率ρ1、方阻R_□、接触电阻率ρ2代入电阻R的算式，计算得到不同间距d所对应的电阻R值，拟合绘制相邻金属电极的电阻R与间距d的关系曲线；

测试得到间距为d₀的相邻金属电极的电阻R₀，将电阻R₀与所述关系曲线中间距d₀所对应的电阻R值相比对，并根据比对结果对所述隧穿电阻率ρ1、方阻R_□、接触电阻率ρ2进行修正。

作为本申请实施例的进一步改进，根据所述关系曲线的延长线在横向坐标轴上的截距得到迁移长度L_T，当所述金属电极宽度L小于迁移长度L_T时，所述隧穿层的隧穿电阻率ρ1为R2*L*W，所述金属电极的接触电阻率ρ2为R4*L*W；