[发明专利]一种薄膜场效应晶体管结构及制作方法有效
| 申请号： | 201911134158.7 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN111048592B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 陈宇怀;黄志杰;苏智昱 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/32 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;张忠波 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜场效应晶体管结构及制作方法，其中方法包括如下步骤：在基板上制作栅极和覆盖栅极的栅极绝缘层；沉积有源层材料，在有源层材料上涂布第一光阻层，蚀刻有源层材料并在栅极上面形成有源层，有源层在栅极绝缘层上，去除有源层两侧表面上的第一光阻层，保留有源层上的第一光阻层；沉积金属，蚀刻有源层区域上的金属至第一光阻层，在有源层的一侧形成源极，在有源层的另一侧形成漏极，去除第一光阻层。利用第一光阻层保护有源层，降低薄膜晶体管结构的复杂性；有效提高电子迁移率，提高器件性能减小器件面积，可以应用于高像素密度显示面板；相较于常规背沟道结构薄膜场效应晶体管的制程更少，成本更低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 场效应 晶体管 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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