[发明专利]一种薄膜场效应晶体管结构及制作方法

说明书

本发明公开了一种薄膜场效应晶体管结构及制作方法，其中方法包括如下步骤：在基板上制作栅极和覆盖栅极的栅极绝缘层；沉积有源层材料，在有源层材料上涂布第一光阻层，蚀刻有源层材料并在栅极上面形成有源层，有源层在栅极绝缘层上，去除有源层两侧表面上的第一光阻层，保留有源层上的第一光阻层；沉积金属，蚀刻有源层区域上的金属至第一光阻层，在有源层的一侧形成源极，在有源层的另一侧形成漏极，去除第一光阻层。利用第一光阻层保护有源层，降低薄膜晶体管结构的复杂性；有效提高电子迁移率，提高器件性能减小器件面积，可以应用于高像素密度显示面板；相较于常规背沟道结构薄膜场效应晶体管的制程更少，成本更低。

技术领域

本发明涉及晶体管制作领域，尤其涉及一种薄膜场效应晶体管结构及制作方法

背景技术

薄膜场效应晶体管(TFT)中金属成膜以及蚀刻过程中沟道区易受到破坏而造成器件不良，为保证TFT器件具有较好电学特性，目前常用做法是在有源层上方制作刻蚀阻挡层(Etching-Stop-Layer，简称ESL)，这势必会增加工艺复杂性，不利于降低成本和缩小TFT器件面积。采用背沟道结构TFT器件，具有高电子迁移率、电学特性好、制程工艺简单等优点，但是在制程工艺中如何有效保护有源层不受破坏仍需新的工艺技术进行突破。

铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，简称IGZO)等氧化物半导体材料由于具有高的迁移率和开态电流，在显示行业的薄膜场效应晶体管器件中的应用受到越来越多的关注

发明内容

为此，需要提供一种薄膜场效应晶体管结构及制作方法，在降低薄膜场效应晶体管结构复杂性的基础上，不制作蚀阻挡层便能保护有源层不受破坏。

为实现上述目的，发明人提供了一种薄膜场效应晶体管结构的制作方法，包括如下步骤：

在基板上制作栅极；

在基板上制作覆盖栅极的栅极绝缘层；

沉积有源层材料，在有源层材料上涂布第一光阻层，以光阻为掩模蚀刻有源层材料并在栅极上面形成有源层，有源层在栅极绝缘层上，去除有源层两侧表面上的第一光阻层，然后保留有源层上的第一光阻层；

沉积金属，在金属上涂布第二光阻层，显影后去除有源层区域上的第二光阻层，以光阻为掩模蚀刻有源层的区域上的金属至第一光阻层，在有源层的一侧形成源极，在有源层的另一侧形成漏极，源极、漏极分别与有源层的两侧连接，去除第一光阻层和第二光阻层。

进一步地，在去除有源层两侧表面上的第一光阻层时，包括如下步骤：

用氧气处理或者离子轰击的方式去除有源层两侧表面上的第一光阻层。

进一步地，还包括如下步骤：

对有源层的两侧进行离子掺 杂，减小源极、漏极与有源层的接触阻抗。

进一步地，还包括如下步骤：

通过四氟化碳以及氧气处理的方式减薄残留在第一光阻层边缘的金属。

进一步地，还包括如下步骤：

在栅极绝缘层上制作覆盖源极、漏极和有源层的绝缘层；

在绝缘层上制作连通漏极的开口；

在绝缘层上制作平坦层，在平坦层上制作开口，平坦层上的开口与绝缘层在漏极上的开口相通；

在平坦层上制作阳极，阳极通过平坦层上的开口与漏极连接；

在阳极上制作覆盖阳极的画素定义层，在画素定义层上制作连通阳极的孔；

在画素定义层上制作至少为一列的支撑层，支撑层用以支撑基板与盖板；

在画素定义层上的孔内制作发光层；